[发明专利]声表面波谐振器结构及其形成方法、滤波器

说明书

本公开实施例提供一种声表面波谐振器结构及其形成方法、滤波器，声表面波谐振器结构包括：压电基板；叉指换能器，包括第一叉指电极结构和第二叉指电极结构，其中第一叉指电极结构包括彼此连接的第一叉指电极和第一叉指电极引出部，第二叉指电极结构包括彼此连接的第二叉指电极和第二叉指电极引出部，第一叉指电极和第二叉指电极沿第一方向延伸且在第二方向上交替排列；温度补偿层，设置于叉指换能器的远离压电基板的一侧；以及第一保护层，设置于叉指换能器与温度补偿层之间，保护层被配置成保护叉指换能器不被氧化。

技术领域

本公开的实施例涉及一种声表面波谐振器结构及其形成方法、滤波器，且特别是涉及一种温度补偿型声表面波谐振器及其形成方法。

背景技术

随着移动通讯技术快速发展，以谐振器为基本单元的滤波器越来越广泛且大量的应用在智能手机等通讯装置中。声表面波（Surface Acoustic Wave, SAW）滤波器作为一种声波滤波器具有体积小、质量轻等优点，在目前的通讯装置中得到广泛应用，其中温度补偿型声表面波滤波器具有高品质因子、低损耗、低温漂的特点，因而具有优越的性能。然而，在传统温度补偿型声表面波谐振器/滤波器的温度补偿层的形成工艺中容易对其他金属结构造成不利影响；另一方面，传统声表面波谐振器/滤波器存在杂散模态的杂波，影响谐振器/滤波器的性能。

发明内容

本公开至少一个实施例提供一种声表面波谐振器结构，其包括：压电基板；叉指换能器，包括第一叉指电极结构和第二叉指电极结构，并排设置于所述压电基板上，其中所述第一叉指电极结构包括彼此连接的第一叉指电极和第一叉指电极引出部，所述第二叉指电极结构包括彼此连接的第二叉指电极和第二叉指电极引出部，所述第一叉指电极和所述第二叉指电极沿第一方向延伸且在第二方向上交替排列，所述第一方向和所述第二方向相交；温度补偿层，设置于所述叉指换能器的远离所述压电基板的一侧；以及第一保护层，设置于所述叉指换能器与所述温度补偿层之间，所述保护层被配置成保护所述叉指换能器不被氧化。

在本公开至少一个实施例的声表面波谐振器结构中，还包括：杂波抑制结构，包括第一杂波抑制层和第二杂波抑制层，所述第一杂波抑制层和所述第二杂波抑制层各自沿所述第二方向延伸跨过所述第一叉指电极和所述第二叉指电极，并在所述第一方向上并排设置，且所述第一杂波抑制层和所述第二杂波抑制层各自在垂直于所述压电基板的主表面的第三方向上与所述第一叉指电极和所述第二叉指电极交叠。

在本公开至少一个实施例的声表面波谐振器结构中，所述第一杂波抑制层具有与所述第二叉指电极的远离所述第二叉指电极引出部的边缘在所述第三方向上对齐的边缘，所述第二杂波抑制层具有与所述第一叉指电极的远离所述第一叉指电极引出部的边缘在所述第三方向上对齐的边缘。

在本公开至少一个实施例的声表面波谐振器结构中，所述杂波抑制结构包括金属结构，所述金属结构设置于所述第一叉指电极和所述第二叉指电极的远离所述压电基板的一侧，且包括作为所述第一杂波抑制层的第一金属条和作为所述第二杂波抑制层的第二金属条。

在本公开至少一个实施例的声表面波谐振器结构中，所述金属结构嵌置于所述温度补偿层中，且所述温度补偿层包括：第一温度补偿子层，设置于所述第一保护层的远离所述第一叉指电极结构和所述第二叉指电极结构的一侧，其中所述金属结构设置于所述第一温度补偿子层的远离所述第一保护层的一侧；以及第二温度补偿子层，设置于所述第一温度补偿子层和所述金属结构的远离所述第一保护层的一侧。

在本公开至少一个实施例的声表面波谐振器结构中，所述杂波抑制结构还包括：第二保护层，至少设置于所述金属结构和所述第二温度补偿子层之间，以覆盖所述金属结构的侧壁及其靠近所述第二温度补偿子层一侧的表面，所述第二保护层被配置成保护所述金属结构不被氧化。

在本公开至少一个实施例的声表面波谐振器结构中，所述第二保护层还设置于所述第一温度补偿子层和所述第二温度补偿子层之间，且所述第二保护层的侧壁与所述第一温度补偿子层和所述第二温度补偿子层的侧壁在垂直于所述压电基板的所述主表面的方向上对齐。