[发明专利]砷化铟薄膜的外延层结构、霍尔器件及制备方法

权利要求书

1.一种砷化铟薄膜的外延层结构，其特征在于，包括：

一砷化镓衬底；

一缓冲层，覆盖于所述砷化镓衬底的上表面；

一砷化铟缓冲结构，覆盖所述缓冲层；

一砷化铟功能层，覆盖于所述砷化铟缓冲结构的上表面。

2.如权利要求1所述的外延层结构，其特征在于，所述砷化铟缓冲结构包括：

第一类型砷化铟层，覆盖所述缓冲层；

第二类型砷化铟层，覆盖所述第一类型砷化铟层。

3.如权利要求2所述的外延层结构，其特征在于，所述第一类型砷化铟层为非掺杂的低温砷化铟薄膜层；和/或

所述第二类型砷化铟层为非掺杂高温砷化铟薄膜层。

4.如权利要求2所述的外延层结构，其特征在于，所述第一类型砷化铟层的厚度为10-100nm；和/或

所述第二类型砷化铟层的厚度为100-400nm。

5.如权利要求2所述的外延层结构，其特征在于，所述砷化铟功能层为N型掺杂砷化铟薄膜层，掺杂浓度范围为2E16-2E17cm^-3。

6.如权利要求2所述的外延层结构，其特征在于，所述第一类型砷化铟层的厚度除以所述第二类型砷化铟层及所述砷化铟功能层的厚度之和后所得的商的范围在0.02-0.2之间。

7.如权利要求1所述的外延层结构，其特征在于，所述缓冲层为砷化镓薄膜；和/或

所述缓冲层的厚度为50-2000nm。

8.一种霍尔器件结构，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一所述的外延层结构，还包括：

一保护结构，覆盖于所述砷化铟功能层的上表面；

一钝化结构，覆盖所述保护结构；

一电极层，包括复数个分离的电极，复数个所述电极由所述钝化结构上表面穿透所述钝化结构及所述保护结构，复数个所述电极的底部与所述砷化铟功能层接触。

9.如权利要求8所述的霍尔器件结构，其特征在于，所述保护结构包括：

一砷化铟隔离层，覆盖所述砷化铟功能层；

一帽层，覆盖所述砷化铟隔离层。

10.如权利要求9所述的霍尔器件结构，其特征在于，所述砷化铟隔离层为非掺杂高温砷化铟薄膜层；和/或

所述砷化铟隔离层的厚度为2nm-100nm。

11.如权利要求9所述的霍尔器件结构，其特征在于，所述帽层为砷化镓薄膜层，铟镓砷层或铝镓砷层中的一种；和/或

所述帽层的厚度为2nm-100nm。

12.如权利要求8所述的霍尔器件结构，其特征在于，所述钝化结构包括：

一无机钝化层，覆盖所述保护结构的上表面；

一有机钝化层，覆盖所述无机钝化层。

13.如权利要求12所述的霍尔器件结构，其特征在于，所述无机钝化层为氧化硅或氮化硅或氧化硅与氮化硅的组合层；和/或

所述无机钝化层的厚度为200nm-1000nm。

14.如权利要求12所述的霍尔器件结构，其特征在于，所述有机钝化层为固化的光刻胶层。

15.如权利要求12所述的霍尔器件结构，其特征在于，所述电极层为钛金复合结构；和/或

所述电极层厚度为200nm-2000nm。