[发明专利]计算装置、具有计算装置的晶体管建模设备及其操作方法

权利要求书

1.一种操作晶体管建模设备的方法，所述方法包括：

从测试装置获取与晶体管建模相对应的样本数据；

对所述样本数据和晶体管大量生产阶段的第一电测试数据执行机器学习；

作为执行所述机器学习的结果，生成用于所述晶体管建模的第二电测试数据；

在所述第二电测试数据中设定用于所述晶体管建模的代表性值；以及

响应于设定所述代表性值而执行所述晶体管建模，

其中，所述第一电测试数据和所述第二电测试数据包括与晶体管操作相关联的至少一个电参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述样本数据包括基于晶体管的尺寸的各种类别的电测试数据。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二电测试数据包括基于晶体管的尺寸的所述测试装置未测量的电测试数据。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电测试数据和所述第二电测试数据中的每一个包括阈值电压、饱和电流、线性区电流和截止漏泄电流中的至少一个的值。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

确定所述晶体管建模应被改变；以及

响应于所述确定而改变所述晶体管建模。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，获取所述样本数据包括：

响应于确定所述晶体管建模应被改变而对目标量进行采样；以及

从被采样的目标量测量第三电测试数据。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，执行所述机器学习包括对所述第三电测试数据执行所述机器学习，并且其中，生成所述第二电测试数据是基于对所述第一电测试数据和所述第三电测试数据执行所述机器学习。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，设定所述代表性值包括：

基于晶体管大量生产分布来选择所述第二电测试数据的所述代表性值。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使用所述代表性值来改变所述晶体管建模。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电测试数据包括从所述测试装置测量的电测试数据和从机器学习技术预测的电测试数据。

11.一种晶体管建模设备，包括：

测试装置，其被配置为对晶圆执行对应于晶体管建模的电测试；以及

计算装置，其被配置为对晶体管大量生产阶段的第一电测试数据和从所述测试装置基于晶体管的尺寸测量的第三电测试数据执行机器学习，使用通过执行所述机器学习而获得的结果值来预测基于晶体管的尺寸的所述测试装置未测量的第二电测试数据，并且使用所述第二电测试数据和所述第三电测试数据执行所述晶体管建模，

其中，所述第一电测试数据、所述第二电测试数据和所述第三电测试数据中的每一个包括与晶体管操作相关联的至少一个电参数。

12.根据权利要求11所述的晶体管建模设备，其中，所述第一电测试数据、所述第二电测试数据和所述第三电测试数据中的每一个包括对应于分别与多个晶体管的尺寸相对应的阈值电压、饱和电流和截止泄漏电流的值。

13.根据权利要求11所述的晶体管建模设备，其中，由晶体管建模工具基于晶体管工艺分布或测量噪声来从所述第二电测试数据选择代表性值。

14.根据权利要求13所述的晶体管建模设备，其中，所述计算装置被配置为使用所述代表性值来改变所述晶体管建模。

15.根据权利要求11所述的晶体管建模设备，其中，所述第三电测试数据包括从与所述晶圆的至少一个预定拍摄区域相对应的测试元件组测量的值。