[发明专利]嵌入式存储芯片数据存储方法、嵌入式存储芯片及存储系统

权利要求书

1.一种嵌入式存储芯片数据存储方法，其特征在于，包括：

以第一数据存储通道与host端进行数据交互识别连接；

若连接成功，则所述第一数据存储通道根据所述host端发送的数据信息指定第一目标存储区域进行数据存储；

否则，以第二数据存储通道与所述host端进行数据交互识别连接，并且，所述第二数据存储通道根据所述host端发送的数据信息指定第二目标存储区域进行数据存储；

其中，

所述第一数据存储通道包括主控制器、DDR以及控制所述DDR的DDR控制器；

若所述主控制器与所述host端进行数据交互识别成功；

则所述DDR控制器根据接收的所述host端发送的数据信息控制所述DDR进行网表映射刷新，在所述主控制器指定的第一目标存储区域进行数据存储；

所述第二数据存储通道包括备用控制器、所述DDR控制器和所述DDR；

若所述主控制器与所述host端连接失败；

则所述DDR控制器根据接收的所述host端发送的数据信息控制所述DDR进行网表映射刷新，在所述备用控制器指定的第二目标存储区域进行数据存储；

所述主控制包括第一flash控制器，所述第一目标存储区域设置在flash闪存阵列中，所述第一flash控制器中设置有对所述flash闪存阵列的控制程序；

当所述第一flash控制器与所述host端成功交互识别时，所述DDR控制器控制所述DDR进行网表映射刷新，在所述第一flash控制器指定的所述flash闪存阵列的区域上进行数据存储；

所述备用控制器包括第二flash控制器，所述第二目标存储区域设置在所述flash闪存阵列中，所述第二flash控制器中设置有对所述flash闪存阵列的控制程序；

当所述第一flash控制器与所述host端连接失败时，所述DDR控制器控制所述DDR进行网表映射刷新，在所述第二flash控制器指定的所述flash闪存阵列的区域上进行数据存储。

2.根据权利要求1所述的嵌入式存储芯片数据存储方法，其特征在于，所述host端为CPU端。

3.一种嵌入式存储芯片，其特征在于，包括：

第一数据存储通道，用于与host端连接，并根据接收所述host端发送的数据信息指定第一目标存储区域进行数据存储；

第二数据存储通道，用于在所述第一数据存储通道与所述host端连接失败时，与所述host端连接，并根据接收所述host端发送的数据信息指定第二目标存储区域进行数据存储；

所述第一数据存储通道包括主控制器、DDR以及控制所述DDR的DDR控制器；

若所述主控制器与所述host端进行数据交互识别成功；

则所述DDR控制器根据接收的所述host端发送的数据信息控制DDR进行网表映射刷新，在所述主控制器指定的第一目标存储区域进行数据存储；

所述第二数据存储通道包括：备用控制器、所述DDR控制器和所述DDR；

若所述主控制器与所述host端连接失败；

则所述DDR控制器根据接收的所述host端发送的数据信息控制DDR进行网表映射刷新，在所述备用控制器指定的第二目标存储区域进行数据存储。

4.一种数据存储系统，其特征在于，包括host端和如权利要求3所述的嵌入式存储芯片；

若所述host端与所述第一数据存储通道连接成功，则所述第一数据存储通道根据接收所述host端发送的数据信息指定第一目标存储区域进行数据存储；

否则，所述host端与所述第二数据存储通道连接，所述第二数据存储通道根据所述host端发送的数据信息指定第二目标存储区域进行数据存储。