[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一组纳米结构，堆叠在衬底上方并且彼此间隔开；

第二组纳米结构，堆叠在所述衬底上方并且彼此间隔开；

第一源极/漏极部件，邻接所述第一组纳米结构；

第二源极/漏极部件，邻接所述第二组纳米结构；

第一接触插塞，着落在所述第一源极/漏极部件上并且部分地嵌入在所述第一源极/漏极部件中；以及

第二接触插塞，着落在所述第二源极/漏极部件上并且部分地嵌入在所述第二源极/漏极部件中，其中，所述第一接触插塞的底部低于所述第二接触插塞的底部。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一组纳米结构包括作为所述第一组纳米结构中的最上面一个的第一纳米结构和作为所述第一组纳米结构中的第二最上面一个的第二纳米结构，并且所述第一接触插塞的所述底部位于所述第一纳米结构的底面与所述第二纳米结构的顶面之间的水平处。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二组纳米结构包括作为所述第二组纳米结构的最上面一个的第三纳米结构，并且所述第二接触插塞的所述底部位于所述第三纳米结构的顶面与所述第三纳米结构的底面之间的水平处。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一组纳米结构位于P型阱区上方，并且所述第二组纳米结构位于N型阱区上方。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，嵌入在所述第一源极/漏极部件中的所述第一接触插塞的第一部分具有从所述第一源极/漏极部件的顶面到所述第一接触插塞的所述底部测量的第一尺寸，嵌入在所述第二源极/漏极部件中的所述第二接触插塞的第二部分具有从所述第二源极/漏极部件的顶面到所述第二接触插塞的所述底部测量的第二尺寸，并且所述第二尺寸与所述第一尺寸的比值在从约0.6至约0.8的范围内。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一接触插塞和所述第二接触插塞相互接触。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第一介电鳍结构和第二介电鳍结构，位于所述衬底上方，其中，所述第一源极/漏极部件位于所述第一介电鳍结构与所述第二介电鳍结构之间并与所述第一介电鳍结构和所述第二介电鳍结构接触；

接触蚀刻停止层，沿着所述第一源极/漏极部件、所述第一介电鳍结构和所述第二介电鳍结构；以及

层间介电层，位于所述接触蚀刻停止层上方。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述第一接触插塞部分地覆盖所述第一介电鳍结构的上表面。

9.一种形成半导体结构的方法，包括：

在衬底上方形成第一鳍结构和第二鳍结构，其中，所述第一鳍结构包括第一组纳米结构，并且所述第二鳍结构包括第二组纳米结构；

在所述第一鳍结构上方形成第一源极/漏极部件并且在所述第二鳍结构上方形成第二源极/漏极部件；

在所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件上方形成层间介电层；

蚀刻所述层间介电层和所述第一源极/漏极部件以在所述层间介电层和所述第一源极/漏极部件中形成第一接触开口；以及

蚀刻所述层间介电层和所述第二源极/漏极部件以在所述层间介电层和所述第二源极/漏极部件中形成第二接触开口，其中，所述第一接触开口比所述第二接触开口深。

10.一种半导体结构，包括：

下拉晶体管，包括包裹环绕第一组纳米结构的第一栅极堆叠件和第一源极/漏极部件；和

上拉晶体管，包括包裹环绕第二组纳米结构的第二栅极堆叠件和第二源极/漏极部件；

层间介电层，位于所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件上方；

第一接触插塞，位于所述层间介电层中并且位于所述第一源极/漏极部件上；以及

第二接触插塞，位于所述层间介电层中并且位于所述第二源极/漏极部件上，其中，所述第一接触插塞与所述第一源极/漏极部件之间的第一接触面积大于所述第二接触插塞与所述第二源极/漏极之间部件的第二接触面积。