[发明专利]单晶硅基板的制造方法在审
申请号: | 202211225783.4 | 申请日: | 2022-10-09 |
公开(公告)号: | CN115971643A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 伊贺勇人 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B23K26/06 | 分类号: | B23K26/06;B23K26/064;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶硅 制造 方法 | ||
1.一种单晶硅基板的制造方法,从由单晶硅构成的被加工物制造基板,该单晶硅按照晶面{100}所包含的特定的晶面在正面和背面上分别露出的方式制造,其中,
该单晶硅基板的制造方法包含如下的步骤:
剥离层形成步骤,在将通过使透过该单晶硅的波长的激光束会聚而形成的聚光点定位于该被加工物的内部的状态下,沿着与该特定的晶面平行且与晶向<100>所包含的特定的晶向所成的角为5°以下的第1方向,使该聚光点和该被加工物相对地移动,由此在该被加工物的内部的沿着该第1方向的直线状的区域形成剥离层;
分度进给步骤,沿着与该特定的晶面平行且与该第1方向垂直的方向即第2方向,使通过使该激光束会聚而形成该聚光点的位置和该被加工物相对地移动;以及
分离步骤,在重复实施了该剥离层形成步骤和该分度进给步骤之后,以该剥离层为起点而从该被加工物分离该基板,
在该剥离层形成步骤中,按照该聚光点从该被加工物的内侧朝向外侧而移动的方式使该聚光点和该被加工物相对地移动。
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