[发明专利]一种宽带可调谐接收机

权利要求书

1.一种宽带可调谐接收机，其特征在于所述接收机包括低噪声放大器单元、混频器单元、有源低通滤波器单元，其中：

所述低噪声放大器单元为单端输入差分输出的低噪声放大器；

所述混频器单元包括结构相同的混频器1和混频器2，每个混频器由一组相同频率且相位差为180°的时钟信号驱动，不同通道的混频器由相同频率且相位差为90°的时钟信号驱动；

所述有源低通滤波器单元包括结构相同的有源低通滤波器1和有源低通滤波器2；

所述低噪声放大器的输出正端同时连接混频器1的输入正端、混频器2的输入正端，低噪声放大器的输出负端同时连接混频器1的输入负端、混频器2的输入负端；

所述混频器1的输出负端连接有源低通滤波器1的输入正端，混频器1的输出正端连接有源低通滤波器1的输入负端，有源低通滤波器1输出全差分信号I+、I-；

所述混频器2的输出负端连接有源低通滤波器2的输入正端，混频器2的输出正端连接有源低通滤波器2的输入负端，有源低通滤波器2输出全差分信号Q+、Q-。

2.根据权利要求1所述的宽带可调谐接收机，其特征在于所述混频器1和混频器2均由方波时钟信号驱动，以此实现频率调制功能。

3.根据权利要求1所述的宽带可调谐接收机，其特征在于所述混频器1由频率为flo初始相位为0°和频率为flo初始相位为180°的方波时钟信号共同驱动，混频器2由频率为flo初始相位为90°和频率为flo初始相位为270°的方波时钟信号共同驱动。

4.根据权利要求1所述的宽带可调谐接收机，其特征在于所述低噪声放大器单元包含4个NMOS晶体管NM1～NM4，2个PMOS晶体管PM1、PM2，3个电阻R1、R2、Rf，其中：

所述NMOS晶体管NM1的源极、NMOS晶体管NM2的源极、NMOS晶体管NM3的源极同时连接VSS；

所述PMOS晶体管PM1的源极、PMOS晶体管PM2的源极、电阻R1的一端、电阻R2的一端同时连接VDD；

所述PMOS晶体管PM1的漏极、NMOS晶体管NM1的漏极同时连接NMOS晶体管NM4的源极；

所述NMOS晶体管NM2的漏极、PMOS晶体管PM2的漏极同时连接晶体管NM3的栅极；

所述NMOS晶体管NM1的栅极、PMOS晶体管PM1的栅极、NMOS晶体管NM2的栅极、PMOS晶体管PM2的栅极互相连接，用作低噪声放大器输入端VIN；

所述NMOS晶体管NM3的漏极连接电阻R1的另一端，用作低噪声放大器正输出端VO+；

所述NMOS晶体管NM4的漏极连接电阻R2的另一端，用作低噪声放大器负输出端VO-；

所述NMOS晶体管NM4的栅极连接偏置电压VB；

所述电阻Rf的一端连接低噪声放大器输入端VIN，另一端连接NMOS晶体管NM3的栅极。

5.根据权利要求1、2或3所述的宽带可调谐接收机，其特征在于所述混频器1和混频器2均由4个NMOS晶体管NM5～NM8组成，其中：

所述NMOS晶体管NM5的源极与NMOS晶体管NM7的源极连接，用作混频器的正输入端RF+；

所述NMOS晶体管NM6的源极与NMOS晶体管NM8的源极连接，用作混频器的负输入端RF-；

所述NMOS晶体管NM5的漏极与NMOS晶体管NM8的漏极连接，用作混频器的正输出端VO+；

所述NMOS晶体管NM6的漏极与NMOS晶体管NM7的漏极连接，用作混频器的负输出端VO-；

所述NMOS晶体管NM5和NMOS晶体管NM8的栅极连接数字时钟CLK1；

所述NMOS晶体管NM6和NMOS晶体管NM7的栅极连接数字时钟CLK2。