[发明专利]保护电路和包括该保护电路的电池组

权利要求书

1.一种电池组的保护电路，所述电池组的保护电路包括：

放电控制开关，位于电池模组的放电路径上，并且配置为阻断或连接所述放电路径；

控制器，配置为通过多个电池组通信端子与外部装置通信，并且输出控制所述放电控制开关的导通/截止的控制信号；

阻断电路，电连接在所述多个电池组通信端子与所述控制器之间，并且配置为控制所述多个电池组通信端子与所述控制器之间的连接；以及

阻断控制电路，配置为根据所述控制信号来控制所述阻断电路阻断所述多个电池组通信端子与所述控制器之间的所述连接。

2.根据权利要求1所述的保护电路，其中，

所述阻断控制电路配置为当所述控制信号具有使所述放电控制开关截止的电压电平时控制所述阻断电路阻断所述多个电池组通信端子与所述控制器之间的所述连接。

3.根据权利要求1所述的保护电路，其中，

所述阻断电路包括：

第一FET，电连接在所述多个电池组通信端子之中的第一电池组通信端子与所述控制器之间；以及

第二FET，电连接在所述多个电池组通信端子之中的第二电池组通信端子与所述控制器之间，并且

当所述控制信号具有使所述放电控制开关截止的电压电平时，所述第一FET和所述第二FET被所述阻断控制电路控制为截止。

4.根据权利要求3所述的保护电路，其中，

所述第一FET包括连接到所述控制器的源极端子、连接到所述第一电池组通信端子的漏极端子以及连接到所述阻断控制电路的栅极端子，并且

所述第二FET包括连接到所述控制器的源极端子、连接到所述第二电池组通信端子的漏极端子以及连接到所述阻断控制电路的栅极端子。

5.根据权利要求4所述的保护电路，其中，

所述第一FET和所述第二FET是N沟道MOSFET。

6.根据权利要求4所述的保护电路，其中，

所述阻断电路还包括：

第一电阻器，连接在所述第一FET的所述栅极端子和所述源极端子之间；以及

第二电阻器，连接在所述第二FET的所述栅极端子和所述源极端子之间。

7.根据权利要求3所述的保护电路，其中，

所述阻断控制电路包括：

第三FET，电连接在输出第一电压的电压源与所述第一FET的栅极端子和所述第二FET的栅极端子之间；以及

第四FET，电连接到所述第三FET的栅极端子，并且根据所述控制信号控制第二电压与所述第三FET的所述栅极端子之间的连接。

8.根据权利要求7所述的保护电路，其中，

所述第三FET包括连接到所述电压源的源极端子、与所述第一FET的所述栅极端子和所述第二FET的所述栅极端子连接的漏极端子以及连接到所述第四FET的栅极端子，并且

所述第四FET包括连接到所述第二电压的源极端子、与所述第三FET的所述栅极端子连接的漏极端子以及与所述控制器的输出所述控制信号的输出端子连接的栅极端子。

9.根据权利要求8所述的保护电路，其中，

所述第三FET是P沟道MOSFET，并且

所述第四FET是N沟道MOSFET。

10.根据权利要求8所述的保护电路，其中，

所述阻断控制电路还包括：

第三电阻器，连接在所述第三FET的所述栅极端子和所述源极端子之间；以及

第四电阻器，连接在所述第三FET的所述栅极端子与所述第四FET的所述漏极端子之间。

11.根据权利要求9所述的保护电路，其中，

所述放电控制开关是包括与所述电池模组的负极连接的源极端子、连接到第一电池组端子的漏极端子以及与所述控制器的输出所述控制信号的所述输出端子连接的栅极端子的FET。