[发明专利]存储器设备和用于基于使用频率改变编程状态间距的方法在审

专利信息
申请号: 202211235292.8 申请日: 2019-08-29
公开(公告)号: CN115511068A 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: H·V·特兰;S·莱姆克;V·蒂瓦里;N·多;M·雷顿 申请(专利权)人: 硅存储技术股份有限公司
主分类号: G06N3/063 分类号: G06N3/063;G11C11/54;G11C11/56;G06N3/04
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 钱盛赟
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 设备 用于 基于 使用 频率 改变 编程 状态 间距 方法
【权利要求书】:

1.一种神经网络设备,包括:

第一多个突触,所述第一多个突触被配置为接收第一多个输入并从其生成第一多个输出,其中所述第一多个突触包括:

多个第一存储器单元;

控制器,所述控制器被配置为:

将所述第一存储器单元中的每个第一存储器单元编程为多个第一编程状态中的一个第一编程状态,以及

使用到所述第一存储器单元的施加电压的第一读取操作来读取所述第一存储器单元,

所述多个第一存储器单元被配置为基于所述第一多个输入和所述多个第一编程状态来生成所述第一多个输出;和

第一多个神经元,所述第一多个神经元被配置为接收所述第一多个输出;

第二多个突触,所述第二多个突触被配置为从所述第一多个神经元接收第二多个输入并从其生成第二多个输出,其中所述第二多个突触包括:

多个第二存储器单元;

所述控制器,所述控制器被配置为:

将所述第二存储器单元中的每个第二存储器单元编程为多个第二编程状态中的一个第二编程状态,

使用到所述第二存储器单元的第二施加电压的第二读取操作来读取所述第二存储器单元,

所述多个第二存储器单元被配置为基于所述第二多个输入和所述多个第二编程状态来生成所述第二多个输出;和

第二多个神经元,所述第二多个神经元被配置为接收所述第二多个输出;

其中以下项中的至少一者:

所述多个第一编程状态的总数不同于所述多个第二编程状态的总数,

所述多个第一编程状态的总数仅为2并且所述多个第二编程状态的总数大于2,或者所述多个第一编程状态的总数大于2并且所述多个第二编程状态的总数仅为2,

所述第一存储器单元是易失性的并且所述第二存储器单元是非易失性的,或者所述第一存储器单元是非易失性的并且所述第二存储器单元是易失性的,或者所述第一存储器单元和所述第二存储器单元是非易失性的,

所述控制器被配置为:

执行在所述第一存储器单元的阈值以上的所述第一读取操作和在所述第二存储器单元的阈值以下的所述第二读取操作,或者

执行在所述第一存储器单元的阈值以下的所述第一读取操作和在所述第二存储器单元的阈值以上的所述第二读取操作,或者

执行在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的阈值以上的所述第一读取操作和所述第二读取操作,或者

执行在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的阈值以下的所述第一读取操作和所述第二读取操作。

2.根据权利要求1所述的神经网络设备,其中所述多个第一编程状态的总数不同于所述多个第二编程状态的总数。

3.根据权利要求1所述的神经网络设备,其中所述多个第一编程状态的总数仅为2并且所述多个第二编程状态的总数大于2,或者所述多个第一编程状态的总数大于2并且所述多个第二编程状态的总数仅为2。

4.根据权利要求1所述的神经网络设备,其中所述第一存储器单元是易失性的并且所述第二存储器单元是非易失性的,或者所述第一存储器单元是非易失性的并且所述第二存储器单元是易失性的。

5.根据权利要求1所述的神经网络设备,其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元是非易失性的。

6.根据权利要求1所述的神经网络设备,其中所述控制器被配置为执行在所述第一存储器单元的阈值以上的所述第一读取操作和在所述第二存储器单元的阈值以下的所述第二读取操作,或者执行在所述第一存储器单元的阈值以下的所述第一读取操作和在所述第二存储器单元的阈值以上的所述第二读取操作。

7.根据权利要求1所述的神经网络设备,其中所述控制器被配置为执行在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的阈值以上的所述第一读取操作和所述第二读取操作,或者执行在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的阈值以下的所述第一读取操作和所述第二读取操作。

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