[发明专利]一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺

权利要求书

1.一种高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，包括封装基板、功率器件、侧面电极、底部电极、顶部电极、集成电路芯片和无源器件；

所述底部电极、封装基板、功率器件和顶部电极依次自下而上层叠；

所述侧面电极位于封装基板的侧面，所述顶部电极通过侧面电极与封装基板连接；

所述集成电路芯片和无源器件埋置于封装基板内部，且两者在垂直方向上叠层布置。

2.根据权利要求1所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，还包括设于功率器件侧面的散热件。

3.根据权利要求2所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，所述散热件通过绝缘导热层与功率器件直接接触连接。

4.根据权利要求3所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，所述绝缘导热层的材料为导热树脂。

5.根据权利要求1所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，所述侧面电极、顶部电极和/或底部电极作为信号端口和/或电源端口。

6.根据权利要求1所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，所述侧面电极与封装基板内部的金属层直接连接。

7.根据权利要求1所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，所述集成电路芯片的最大功率不超过3W，所述功率器件的最大功耗为10W以上。

8.根据权利要求1至7任一项所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，还包括电感器，所述电感器位于顶部电极与功率器件之间。

9.根据权利要求8所述的高电流密度垂直供配电模组，其特征在于，所述电感器在封装基板表面的投影面积不超过封装基板表面的面积，所述电感器底部距封装基板表面的高度大于或等于功率器件的贴装高度。

10.一种高电流密度垂直供配电模组的封装工艺，其特征在于，用于如权利要求1至9任一项所述的高电流密度垂直供配电模组的封装，所述封装工艺包括如下步骤：

提供一第一芯板和一第二芯板，将集成电路芯片埋置于第一芯板中，将无源器件埋置于第二芯板中；

将第一芯板与第二芯板压合构成封装基板；

在封装基板的下表面进行钻孔，并对孔壁进行孔壁金属化，采用阻焊材料进行塞孔，在封装基板下表面形成底部电极，得到待封装整体；

对待封装整体进行灌封得到封装整体；

对封装整体进行研磨，直至露出封装基板的侧壁；

对研磨后的封装整体进行表面金属化，形成侧面电极和顶部电极，得到高电流密度垂直供配电模组。