[发明专利]发光二极管在审
申请号: | 202211241646.X | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN115621388A | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 金钟奎;姜珉佑;吴世熙;林亨镇 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜长星;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,其中,包括:
第一导电型半导体层;
台面,位于所述第一导电型半导体层上,并包括活性层及第二导电型半导体层;
透明的导电型氧化物层,布置在所述台面上,并与所述第二导电型半导体层电连接;
介电层,覆盖所述导电型氧化物层,并具有使所述导电型氧化物层暴露的多个开口部;
金属反射层,布置在所述介电层上,并通过所述介电层的开口部与所述导电型氧化物层连接;
下部绝缘层,覆盖所述台面及所述金属反射层,并包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部及使所述金属反射层暴露的第二开口部;
第一垫金属层,布置在所述下部绝缘层上,并通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层;
第二垫金属层,布置在所述下部绝缘层上,并通过所述第二开口部与所述金属反射层电连接;以及
上部绝缘层,覆盖所述第一垫金属层及所述第二垫金属层,并具有使所述第一垫金属层暴露的第一开口部及使所述第二垫金属层暴露的第二开口部,
所述介电层的开口部包括与所述下部绝缘层的第一开口部中的至少一个相邻的宽度较窄且长的条形状的开口部。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述介电层包括所述条状开口部以外的其他形状的开口部,
所述条状的开口部布置在相应的所述下部绝缘层的第一开口部与所述介电层的其他形状的开口部之间。
3.如权利要求2所述的发光二极管,其中,
相应的所述下部绝缘层的第一开口部具有沿着一方向较长的形状,
所述介电层的条状的开口部以与相应的所述下部绝缘层的第一开口部平行的方式布置。
4.如权利要求3所述的发光二极管,其中,
所述介电层的条状的开口部比相应的所述下部绝缘层的第一开口部长。
5.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述下部绝缘层具有在所述台面周围使所述第一导电型半导体层暴露的多个第一开口部,
所述第一垫金属层在所述多个第一开口部与所述第一导电型半导体层接触。
6.如权利要求5所述的发光二极管,其中,
所述介电层具有与所述多个第一开口部分别相邻的多个条状的开口部。
7.如权利要求5所述的发光二极管,其中,
所述介电层的条状的开口部跨过所述外部接触部而较长地布置。
8.如权利要求1所述的发光二极管,还包括:
第一凸起垫;以及
第二凸起垫,
所述第一凸起垫和第二凸起垫分别通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部电连接于所述第一垫金属层及所述第二垫金属层,
所述条状的开口部的至少一部分布置于所述第一凸起垫的下部。
9.如权利要求8所述的发光二极管,其中,
所述条状的开口部的一部分布置于所述第二凸起垫的下部。
10.如权利要求1所述的发光二极管,还包括:位于所述第一导电型半导体层一侧的基板,所述基板使从所述活性层生成的光穿过。
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