[发明专利]p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法

权利要求书

1.一种p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管，由下至上依次由衬底(1)、衬底(1)上面制备的GaN缓冲层(8)、GaN缓冲层(8)上制备的n型掺Si的GaN电子注入层(2)、GaN电子注入层(2)上面制备的相互分立的多量子阱有源发光层(3)和下电极(7)、有源发光层(3)上面制备的p型掺Mg的Al_zGa_1-zN电子限制层(4)、Al_zGa_1-zN电子限制层(4)上制备的盖层(5)、盖层(5)上面制备的上电极(6)构成，其特征在于：衬底(1)是Al₂O₃或Si晶体片；盖层(5)是p-NiO，空穴浓度为1.0×10¹⁸/cm³～9.9×10²⁰/cm³；多量子阱有源发光层(3)由下至上依次由蓝光Al_y1Ga_1-y1N载流子限制层(3-2)、蓝光多量子阱In_x1Ga_1-x1N材料有源发光层(3-1)、黄光Al_y2Ga_1-y2N载流子限制层(3-4)、黄光多量子阱In_x2Ga_1-x2N材料有源发光层(3-3)四部分组成。

2.一种p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管，由下至上依次由衬底(1)、衬底(1)上面制备的GaN缓冲层(8)、GaN缓冲层(8)上制备的n型掺Si的GaN电子注入层(2)、GaN电子注入层(2)上面制备的相互分立的多量子阱有源发光层(3)和下电极(7)、有源发光层(3)上面制备的盖层(5)、盖层(5)上面制备的上电极(6)构成，其特征在于：衬底(1)是Al₂O₃或Si晶体片；盖层(5)兼作电子限制层，是p-NiO，空穴浓度为1.0×10¹⁸/cm³～9.9×10²⁰/cm³；多量子阱有源发光层(3)由下至上依次由蓝光Al_y1Ga_1-y1N载流子限制层(3-2)、蓝光多量子阱In_x1Ga_1-x1N材料有源发光层(3-1)、黄光Al_y2Ga_1-y2N载流子限制层(3-4)、黄光多量子阱In_x2Ga_1-x2N材料有源发光层(3-3)四部分组成。

3.如权利要求1或2所述的一种p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管，其特征在于：蓝光多量子阱In_x1Ga_1-x1N材料有源发光层(3-1)由阱层In_x11Ga_1-x11N和垒层In_x12Ga_1-x12N交替构成，对数为2～5；黄光多量子阱In_x2Ga_1-x2N材料有源发光层(3-3)由阱层In_x21Ga_1-x21N和垒层In_x22Ga_1-x22N交替构成，对数为2～5。

4.如权利要求3所述的一种p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管，其特征在于：蓝光量子阱的阱层x11的选值范围为0.15～0.22，蓝光量子阱的垒层x12的选值比x11小0.1～0.22；黄光量子阱的阱层x21的选值范围为0.30～0.36，黄光量子阱的垒层x22的选值比x21小0.1～0.30；y1、y2的选值范围为0～0.2，z的选值范围为0.1～0.4。