[发明专利]一种MOSFET结构及其制作方法

权利要求书

1.一种MOSFET结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一导电类型衬底，在所述衬底上自下而上依次形成第一导电类型漂移层、第二导电类型体区及第一导电类型源区，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；

形成栅极沟槽，所述栅极沟槽垂向贯穿所述源区及所述体区，并向下延伸至所述漂移层中；

依次形成栅介质层及栅导电层于所述栅极沟槽中；

形成源极沟槽，所述源极沟槽垂向贯穿所述源区及所述体区，并向下延伸至所述漂移层中，所述源极沟槽在水平方向上与所述栅极沟槽间隔设置；

形成肖特基金属层于所述源极沟槽的侧壁的预设区域，所述预设区域包括被所述源极沟槽显露的所述漂移层的侧壁及被所述源极沟槽显露的所述体区的侧壁；

形成源极金属层，所述源极金属层填充进所述源极沟槽中以与所述肖特基金属层及所述源区电连接。

2.根据权利要求1所述的MOSFET结构的制作方法，其特征在于：所述肖特基金属层的顶端不低于所述源区的底端。

3.根据权利要求1所述的MOSFET结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：于所述漂移层中形成第二导电类型柱，所述第二导电类型柱的底面高于所述漂移层的底面，其中，所述源极沟槽的形成顺序后于所述第二导电类型柱的形成顺序，所述源极沟槽贯穿所述第二导电类型柱的上部以使所述第二导电类型柱的顶面低于所述漂移层的顶面。

4.根据权利要求3所述的MOSFET结构的制作方法，其特征在于，所述于所述漂移层中形成第二导电类型柱包括以下步骤：

形成柱区沟槽于所述漂移层中，所述柱区沟槽自所述漂移层的顶面开口并向下延伸，但未到达所述漂移层的底面；

形成第二导电类型材料层于所述柱区沟槽中以得到所述第二导电类型柱。

5.根据权利要求3所述的MOSFET结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：形成第二导电类型掺杂层于所述漂移层中，所述第二导电类型掺杂层位于所述源极沟槽的底部下方并垂向贯穿所述第二导电类型柱的上部以使所述第二导电类型柱的顶面进一步降低，所述第二导电类型掺杂层的掺杂浓度高于所述第一导电类型柱的掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的MOSFET结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：形成层间介质层于所述源区上，并形成垂向贯穿所述层间介质层的开口于所述层间介质层中，所述开口的底面显露所述源区的一部分顶面，所述源极金属层还填充进所述开口中与所述源区的靠近所述源极沟槽的一侧的顶面接触。

7.一种MOSFET结构，其特征在于，包括：

自下而上依次堆叠的第一导电类型衬底、第一导电类型漂移层、第二导电类型体区及第一导电类型源区，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；

栅极沟槽，垂向贯穿所述源区及所述体区，并向下延伸至所述漂移层中，所述栅极沟槽中填充有栅介质层及栅导电层；

源极沟槽，垂向贯穿所述源区及所述体区，并向下延伸至所述漂移层中，所述源极沟槽在水平方向上与所述栅极沟槽间隔设置；

肖特基金属层，位于所述源极沟槽的侧壁的预设区域，所述预设区域包括被所述源极沟槽显露的所述漂移层的侧壁及被所述源极沟槽显露的所述体区的侧壁；

源极金属层，填充进所述源极沟槽中以与所述肖特基金属层及所述源区电连接。

8.根据权利要求7所述的MOSFET结构，其特征在于：所述肖特基金属层的顶端不低于所述源区的底端。

9.根据权利要求7所述的MOSFET结构，其特征在于：还包括位于所述漂移层中的第二导电类型柱，所述第二导电类型柱位于所述源极沟槽下方，且所述第二导电类型柱的底面高于所述漂移层的底面。

10.根据权利要求7所述的MOSFET结构，其特征在于：还包括位于所述漂移层中的第二导电类型掺杂层，所述第二导电类型掺杂层在垂直方向上位于所述源极沟槽与所述第二导电类型柱之间，所述第二导电类型掺杂层的掺杂浓度高于所述第一导电类型柱的掺杂浓度。