[发明专利]一种应用于SiC功率器件的温度采样方法、装置及系统

权利要求书

1.一种应用于SiC功率器件的温度采样方法，其特征在于，包括如下步骤：

通过电流采样单元获取SiC MOSFET电流值；

通过电压隔离采样单元获取SiC MOSFET VDS值；

采集到所述SiC MOSFET VDS值和电流值，计算出SiC MOSFET相应的Rdson值；

将所述Rdson值与预设的温度Rdson表进行查找对比，得到该时刻的SiC功率器件的结温的温度值。

2.根据权利要求1所述的一种应用于SiC功率器件的温度采样方法，其特征在于，所述电流采样单元为霍尔电流传感器或电阻或互感器，通过霍尔电流传感器或电阻或互感器获取SiC MOSFET电流值。

3.根据权利要求1所述的一种应用于SiC功率器件的温度采样方法，其特征在于，所述电压隔离采样单元包括：MOSFET驱动芯片、LDO、SiC MOSFET、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一电阻以及第二电阻；所述MOSFET驱动芯片第一输出端连接LDO第一端、SiC MOSFET源极以及第一电阻第一端；MOSFET驱动芯片第二输出端连接LDO第二端以及SiC MOSFET栅极；SiC MOSFET漏极连接第二电阻第一端；第一电阻第二端连接LDO第三端，并且一起连接第一电容第一端、第二电容第一端、第三电容第一端、隔离电压采样芯片的AGND端以及隔离电压采样芯片的INN端；第二电阻第二端连接第一电容第二端以及隔离电压采样芯片的INP端；LDO第四端连接第二电容第二端、第三电容第二端以及隔离电压采样芯片的AVDD端；隔离电压采样芯片的DVDD端连接第四电容第二端、第五电容第二端以及VDD电源；隔离电压采样芯片的DGND端连接第四电容第一端、第五电容第一端以及地端；隔离电压采样芯片的CLKIN端用于连接微处理器的CLK模块；隔离电压采样芯片的DOUT端用于连接微处理器的数字滤波模块。

4.根据权利要求3所述的一种应用于SiC功率器件的温度采样方法，其特征在于，所述VDS值在SiC MOSFET正向导通时采样。

5.根据权利要求3所述的一种应用于SiC功率器件的温度采样方法，其特征在于，在所述VDS值不变的情况下，进行多次电流值采样，通过线性拟合得到不同温度下不同的Rdson值，检验Rdson值与温度的一一对应关系。

6.一种应用于SiC功率器件的温度采样装置，其特征在于，包括：电流采样单元，用于获取SiC MOSFET的电流值；

电压隔离采样单元，用于在SiC MOSFET正向导通时采样VDS值；

Rdson值计算模块，用于将获取的VDS值和电流值相除计算出Rdson值，计算出的Rdson值与温度Rdson表查找对比，得到该时刻的温度值。

7.根据权利要求6所述的一种应用于SiC功率器件的温度采样装置，其特征在于，所述电压隔离采样单元包括：MOSFET驱动芯片、LDO、SiC MOSFET、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一电阻以及第二电阻；所述MOSFET驱动芯片第一输出端连接LDO第一端、SiC MOSFET源极以及第一电阻第一端；MOSFET驱动芯片第二输出端连接LDO第二端以及SiC MOSFET栅极；SiC MOSFET漏极连接第二电阻第一端；第一电阻第二端连接LDO第三端，并且一起连接第一电容第一端、第二电容第一端、第三电容第一端、隔离电压采样芯片的AGND端以及隔离电压采样芯片的INN端；第二电阻第二端连接第一电容第二端以及隔离电压采样芯片的INP端；LDO第四端连接第二电容第二端、第三电容第二端以及隔离电压采样芯片的AVDD端；隔离电压采样芯片的DVDD端连接第四电容第二端、第五电容第二端以及VDD电源；隔离电压采样芯片的DGND端连接第四电容第一端、第五电容第一端以及地端；隔离电压采样芯片的CLKIN端用于连接微处理器的CLK模块；隔离电压采样芯片的DOUT端用于连接微处理器的数字滤波模块。