[发明专利]闪存颗粒容量的计算方法、装置、设备及存储介质

说明书

本申请涉及一种闪存颗粒容量的计算方法、装置、设备及存储介质。该计算方法包括：计算各列地址线对应的坏页；按照预设剔除规则对各所述列地址线依次剔除，所述预设剔除规则为基于列地址线中所述坏页的数量进行依次降序循环剔除，通过优先排除当前未剔除的所述列地址线中包含所述坏页最多的所述列地址线；按照预设判定规则判定每次剔除所述列地址线后的好块；根据所述好块以及所述好块包含的好页，计算得到每次剔除相应所述列地址线后的容量值；将最大的所述容量值作为所述闪存颗粒的目标容量值。本申请实施例能够使得闪存颗粒在容量计算方式更加高效。

技术领域

本申请涉及存储技术领域，尤其涉及一种闪存颗粒容量的计算方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

闪存颗粒(NAND Flash，NF)是一种非易失存储介质(掉电后数据不会丢失)，常见的U盘、TF卡/SD卡，以及大部分SSD(固态硬盘)都是由它组成的，其具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。

对于闪存颗粒而言，闪存颗粒包含的块(Block)、页(Page)数量以及块、页质量(质量即好与坏)决定了其容量大小。在相关技术中，在进行闪存颗粒容量计算时，容量计算过程较复杂，导致容量计算方式的效率不够高效。

发明内容

为了使得闪存颗粒在容量计算方式更加高效，本申请提供一种闪存颗粒容量的计算方法、装置、设备及存储介质，采用如下的技术方案：

本申请第一方面提供一种闪存颗粒容量的计算方法，包括：

计算各列地址线对应的坏页；

按照预设剔除规则对各所述列地址线依次剔除，所述预设剔除规则为基于列地址线中所述坏页的数量进行依次降序循环剔除，通过优先排除当前未剔除的所述列地址线中包含所述坏页最多的所述列地址线；

按照预设判定规则判定每次剔除所述列地址线后的好块；

根据所述好块以及所述好块包含的好页，计算得到每次剔除相应所述列地址线后的容量值；将最大的所述容量值作为所述闪存颗粒的目标容量值。

作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，所述预设判定规则为：

在剔除掉相应所述列地址线之后，若当前块中包含有未剔除的所述列地址线对应的坏页，则将当前块判定为坏块，否则判定为好块。

作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，所述计算各列地址线对应的坏页之前，还包括：

获取当前所述闪存颗粒的页信息表；

所述计算各列地址线对应的坏页，包括：

基于所述页信息表计算各列地址线对应的坏页。

作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，所述页信息表按如下方式生成：

预先往所述闪存颗粒写满源数据；

读取所述闪存颗粒存储的所有数据，得到待比对数据；

基于所述源数据与所述待比对数据的比对结果，生成页信息表；

将所述页信息表存储至所述闪存颗粒中。

作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中,所述基于所述源数据与所述待比对数据的比对结果，生成页信息表，具体包括：

当所述源数据与所述待比对数据的比对结果一致时，标记为好页；

当所述源数据与所述待比对数据的比对结果不一致时，标记为坏页；

基于标记的好页与坏页，生成所述页信息表。