[发明专利]一种BRPV强化复合安全发电建材的生产工艺在审
申请号: | 202211255042.0 | 申请日: | 2022-10-13 |
公开(公告)号: | CN115566082A | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 崔永祥;张文博 | 申请(专利权)人: | 赫里欧新能源有限公司;赫里欧新能源(肥城)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/05;H02S30/10 |
代理公司: | 成都中亚专利代理有限公司 51126 | 代理人: | 周长福 |
地址: | 710075 陕西省西安市高新区高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 brpv 强化 复合 安全 发电 建材 生产工艺 | ||
本发明公开了一种BRPV强化复合安全发电建材的生产工艺,包括划片、串焊、排版、EL测试、封装、铺设、层压和成型步骤,通过该工艺生产的BRPV可以减少维护施工危险,可增加各项资源及材料的生命周期。减少空、水、废弃物的排放,加强物理结构强度,提升建筑物的能源使用效率的安全复合光电建材。
技术领域
本发明涉及光伏建材生产领域,具体讲是一种BRPV强化复合安全发电建材的生产工艺。
背景技术
传统的BIPV(Building Integrated PhotoVoltaics)是指太阳能建筑一体化,是与建筑物形成完美结合的太阳能发电系统,也称为“构建型”和“建材型”建筑太阳能。它作为建筑物外部结构的一部分,可作为屋顶、天窗、建筑物外立面等的替代物品。既具有太阳能发电功能,又能承担建筑构件和建筑材料的作用,与建筑物形成完美的统一体。它的最大特点是与建筑物融为一体,可以降低建筑成本;但是传统BIPV无论是双玻、导槽或组构式皆有以下、高电压、无法踩踏、遮阴、承重变形、导水不良、组件多无法维修…等缺点。
传统的BAPV(Building-Attached PhotoVoltaics)是指附着在建筑物上的太阳能发电系统,也称为“后安装型”建筑太阳能太阳能发电系统。BAPV的主要功能是太阳能发电,不承担建筑物的防水、遮风、防火、隔热保温等功能。BAPV更多是建好的房子后添加太阳能设备,它的安装、安全性、支撑系统需要考虑周全,也会增加建筑负载,影响建筑的整体效果。BAPV大多数不是建设设计时就考虑好的,因此存在重复建设的问题,也起不到节约建筑材料的作用。并且BAPV无法防水、高电压、无法踩踏、无法防火、怕遮阴、组扣件无法耐12级以上风力等缺点;
本发明所述的BRPV是Building Reinforce PhotoVoltaics的缩写,是指具有BIPV功能并加强各项资源循环包括水、能量、热能的隔绝、吸收与应用。
发明内容
因此,为了解决上述不足,本发明在此提供一种BRPV强化复合安全发电建材的生产工艺;通过该工艺生产的BRPV可以减少维护施工危险,可增加各项资源及材料的生命周期。减少空、水、废弃物的排放,加强物理结构强度,提升建筑物的能源使用效率的安全复合光电建材。
具体的,一种BRPV强化复合安全发电建材的生产工艺,包括如下步骤:
S1、划片,通过无损激光划裂技术进行划片,并结合半片技术形成电池片;
S2、串焊,通过多主栅技术将电池片组装成电池片组件;
S3、排版,对电池片组件进行排版并形成具有玻璃板的光伏组件;
S4、EL测试,对光伏组件进行测试;
S5、封装,将通过测试的光伏组件进行POE胶膜封装;
S6、铺设,对封装好的光伏组件进行背材铺装,铺装好后再翻转;
S7、层压,将完成铺设和翻转的光伏组件送入层压机进行层压,在层压机中层压10-30分钟;
S8、成型,对层压后的光伏组件成型处理,并得到BRPV强化复合安全发电建材。
进一步的,所述步骤S1中无损激光划裂技术是利用激光对材料进行局部快速加热,再冷却,产生一个不均匀的温度场,该温度场会在材料表面产生温度梯度,从而诱发热应力的产生;其中激光光斑中处于压应力状态,而激光光斑前后处于拉应力状态;由于脆性材料抗压刚度远大于抗拉强度,当拉应力达到材料的断裂强度时,就会使材料发生断裂,断裂会随着激光及后续冷却的移动轨道稳定扩展,前提是在电池片边缘加工一个超小的槽口,断裂扩展会从槽口开始。
在以光伏电池片切割为基础的技术革新衍生出种类众多的光伏组件新产品,例如半片组件、210电池三分片组件、叠瓦组件、板块互联组件、无缝焊接多主栅组件等等,激光划裂成为组件产品迭代升级的不可或缺的工艺环节。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的