[发明专利]显影方法及显影装置在审
申请号: | 202211256624.0 | 申请日: | 2022-10-14 |
公开(公告)号: | CN115327868A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 杨洋;王忠诚 | 申请(专利权)人: | 合肥新晶集成电路有限公司 |
主分类号: | G03F7/30 | 分类号: | G03F7/30 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王晓玲 |
地址: | 230012 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显影 方法 装置 | ||
本发明提供了一种显影方法及显影装置。该显影方法包括:获取待显影基材中目标区域的第一光刻胶参数,其中,待显影基材表面涂覆有光刻胶,光刻胶参数至少包括光刻胶厚度;至少根据第一光刻胶参数,确定与目标区域对应的第一显影参数;根据第一显影参数,控制多个显影液输送管线上至少一个阀门开启,其中,显影液输送管线用于在开启的状态下向待显影基材喷洒显影液,第一显影参数至少包括显影液的流量。通过上述显影方法使得喷洒的显影液能够实现对目标区域的光刻胶进行精准的显影,避免涂覆有光刻胶的基材表面显影过度或显影不足,从而得到线宽均匀的光刻图形。
技术领域
本发明涉及显影技术领域,具体而言,涉及一种显影方法及显影装置。
背景技术
显影是半导体制造工艺中通过化学方法将材料移除的技术,包括湿式显影和干式显影。当前的生产实践中,出于成本及产能的考虑,通常采用湿式显影。即在光刻工艺过程中,首先在晶圆表面旋涂一层光刻胶,使得光刻胶以既定的图形曝光后,显影并形成需要的光刻图形。
现有光刻工艺过程中,在晶圆表面旋涂光刻胶之后,还需要对光刻胶进行软烘以增强光刻胶的粘附性以及改善线宽控制等,然而软烘之后的形成的光刻胶厚度存在特殊分布,使得晶圆在显影过程中,由于光刻胶厚度的差异会导致最终形成的图形线宽存在差异,从而制备得到的光刻图形的线宽不均匀。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种显影方法及显影装置,以解决现有技术中显影之后得到的光刻图形的线宽不均匀的问题。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种显影方法,包括:获取待显影基材中目标区域的第一光刻胶参数,其中,待显影基材表面涂覆有光刻胶,第一光刻胶参数至少包括光刻胶厚度;至少根据第一光刻胶参数,确定与目标区域对应的第一显影参数;根据第一显影参数,控制多个显影液输送管线上至少一个阀门开启,其中,显影液输送管线用于在开启的状态下向待显影基材喷洒显影液,第一显影参数至少包括显影液的流量。
进一步地,至少根据第一光刻胶参数,确定与目标区域对应的第一显影参数,包括:获取多个预设关系,其中,多个预设关系用于表征不同的多个光刻胶参数与多个显影参数之间的一一对应关系;从多个预设关系中确认与第一光刻胶参数对应的第一预设关系;确定与第一预设关系对应的显影参数为目标区域对应的第一显影参数。
进一步地,光刻胶参数还包括目标区域的面积。
进一步地,获取多个预设关系的步骤包括:计算与多个预设光刻胶参数对应的多个预设显影参数,其中,预设显影参数为满足预设光刻胶参数的光刻胶被完全显影所需的显影参数,预设光刻胶参数包括预设光刻胶厚度和预设待显影面积;从多个预设光刻胶参数中确定分别与相同预设显影参数对应的多个预设光刻胶参数集合;根据多个预设光刻胶参数集合,得到多个预设光刻胶参数范围,其中,每个预设光刻胶参数范围的端点值位于不同预设光刻胶参数集合中;建立多个预设光刻胶参数范围与对应的多个预设显影参数之间的对应关系,得到多个预设关系。
进一步地,根据第一显影参数,控制多个显影液输送管线上至少一个阀门开启,包括:从多个预设范围中确定显影液的流量满足的目标预设范围,其中,多个显影液输送管线具有与多个预设范围对应的开关状态;根据目标预设范围,确定多个显影液输送管线的目标开关状态;控制多个显影液输送管线满足目标开关状态。
进一步地,多个显影液输送管线包括第一显影液输送管线、第二显影液输送管线和第三显影液输送管线,从多个预设范围中确定显影液的流量满足的目标预设范围,包括:获取第一预设范围、第二预设范围和第三预设范围,其中,第一显影液输送管线和第二显影液输送管线具有与第一预设范围对应的开启状态,第三显影液输送管线具有与第一预设范围对应的关断状态,第一显影液输送管线和第三显影液输送管线具有与第二预设范围对应的开启状态,第二显影液输送管线具有与第二预设范围对应的关断状态,第一显影液输送管线、第二显影液输送管线和第三显影液输送管线具有与第三预设范围对应的开启状态;从第一预设范围、第二预设范围和第三预设范围中确定显影液的流量满足的目标预设范围。
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