[发明专利]一种辅助电路及电子设备

权利要求书

1.一种辅助电路，其特征在于，所述辅助电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一开关管Q1、第二开关管Q2、第一防反模块和第二防反模块，其中：

所述第一电阻R1的第一端连接所述辅助电路的高压输入端Vin+，所述第一电阻R1的第二端分别连接所述第二电阻R2的第一端、所述第三电阻R3的第一端和所述第一开关管Q1的源极；所述第二电阻R2的第二端分别连接所述第四电阻R4的第一端、所述第二开关管Q2的栅极和所述第一防反模块的第一端；所述第四电阻R4的第二端分别连接所述辅助电路的低压输入端Vin-、所述第二开关管Q2的源极和所述辅助电路的低压输出端Vout-；所述第三电阻R3的第二端连接所述第一开关管Q1的栅极和所述第二开关管Q2的漏极；所述第一开关管Q1的漏极连接所述第二防反模块的第一端；所述第一防反模块的第二端和所述第二防反模块的第二端连接所述辅助电路的高压输出端Vout+；

其中，所述第一开关管Q1为P型MOS管或P型晶体管，所述第二开关管Q2为N型MOS管或N型晶体管，所述第一防反模块为从自身第一端到第二端单向导通的模块，所述第二防反模块为从自身第一端到第二端单向导通的模块，所述第一电阻R1是正温度系数的热敏电阻；

在过流状态下，流经所述第一电阻R1的电流增大，所述第一电阻R1两端的分压变大，所述第二电阻R2的第一端和第二端的电压变小，将所述第二开关管Q2的栅极电压拉低，所述第二开关管Q2截止，所述第一开关管Q1截止，所述辅助电路的高压输入端Vin+到高压输出端Vout+的通路断开，所述过流状态为所述辅助电路的电流超过阈值电流的状态；

在所述过流状态为短路状态的情况下，所述高压输出端Vout+和所述低压输出端Vout-两端连接，所述第一防反模块导通，使得所述第二开关管Q2的源极的电压与栅极的电压相等，将所述第二开关管Q2的栅极电压拉低为低压，所述第二开关管Q2截止，所述第一开关管Q1截止，所述辅助电路的高压输入端Vin+到高压输出端Vout+的通路断开，所述短路状态为所述辅助电路的高压输出端Vout+和低压输出端Vout-短接的状态。

2.根据权利要求1所述的辅助电路，其特征在于，在正常工作状态下，所述第二开关管Q2导通，所述第一开关管Q1导通，所述辅助电路的高压输入端Vin+到高压输出端Vout+的通路导通；

在过压状态下，所述第一防反模块和所述第二防反模块从自身的第二端到第一端截止，所述辅助电路的高压输入端Vin+到高压输出端Vout+的通路断开，所述过压状态为所述辅助电路的高压输出端Vout+的电压超过阈值电压的状态。

3.根据权利要求2所述的辅助电路，其特征在于，在反接状态下，所述第一防反模块和所述第二防反模块从自身的第二端到第一端截止，所述辅助电路的高压输入端Vin+到高压输出端Vout+的通路断开，所述反接状态为外置电路的高压端与所述辅助电路的低压输出端Vout-连接，且所述外置电路的低压端与所述辅助电路的高压输出端Vout+连接的状态。

4.根据权利要求1所述的辅助电路，其特征在于，所述第一防反模块为第一二极管D1，所述第一二极管D1从自身第一端到第二端单向导通。

5.根据权利要求1所述的辅助电路，其特征在于，所述第二防反模块为第二二极管D2的情况下，所述第二二极管D2从自身的第一端到第二端单向导通；或，

所述第二防反模块为第三开关管Q3的情况下，所述第三开关管Q3的栅极分别连接所述第三电阻R3的第二端、所述第二开关管Q2的漏极和所述第一开关管Q1的栅极；所述第三开关管Q3的漏极连接所述第一开关管Q1的漏极；所述第三开关管Q3的源极连接所述第一防反模块的第二端和所述高压输出端Vout+，所述第三开关管Q3为P型MOS管或P型晶体管，所述第三开关管Q3的漏极为所述第二防反模块的第一端，所述第三开关管Q3的源极为所述第二防反模块的第二端。