[发明专利]一种InP基太赫兹HEMT晶体管小信号模型

权利要求书

1.一种InP基太赫兹HEMT晶体管小信号模型，包括：寄生元件与本征元件，其特征在于，所述寄生元件包括：栅极外部寄生电阻R_g1、栅极中部寄生电阻R_g2、栅极内部寄生电阻R_{g_finger}、栅极外部寄生电容C_g、栅极中部寄生电容C_{gs_in}、栅极内部寄生电容C_{gs_finger}、栅极寄生电感L_{g_finger}、漏极外部寄生电阻R_d1、漏极中部寄生电阻R_d2、漏极内部寄生电阻R_{d_finger}、漏极外部寄生电容C_d、漏极中部寄生电容C_{ds_in}、漏极内部寄生电容C_{ds_finger}、漏极寄生电感L_{d_finger}、栅漏寄生电容C_{gd_finger}、源极寄生电感L_s、源极趋肤效应阻抗Z_rf；

其中，所述栅极外部寄生电阻R_g1连接于外部栅极节点G与中部栅极节点G1之间，所述栅极中部寄生电阻R_g2与栅极外部寄生电容C_g串联后连接于中部栅极节点G1与外部源极节点S之间，所述栅极内部寄生电阻R_{g_finger}与漏极寄生电感L_{d_finger}串联后连接于中部栅极节点G1与本征栅极节点G2之间，所述栅极中部寄生电容C_{gs_in}连接于中部栅极节点G1与本征源极节点S1之间，所述栅极内部寄生电容C_{gs_finger}连接于本征栅极节点G2与本征源极节点S1之间，所述漏极外部寄生电阻R_d1连接于外部漏极节点D与中部漏极节点D1之间，所述漏极中部寄生电阻R_d2与漏极外部寄生电容C_d串联后连接于中部漏极节点D1与外部源极节点S之间，所述漏极内部寄生电阻R_{d_finger}与漏极寄生电感L_{d_finger}串联后连接于中部漏极节点D1与本征漏极节点D2之间，所述漏极中部寄生电容C_{ds_in}连接于中部漏极节点D1与本征源极节点S1之间，所述漏极内部寄生电容C_{ds_finger}连接于本征漏极节点D2与本征源极节点S1之间，所述栅漏寄生电容C_{gd_finger}连接于本征栅极节点G2与本征漏极节点D2之间，所述源极寄生电感L_s与源极趋肤效应阻抗Z_rf串联后连接于外部源极节点S与本征源极节点S1之间。