[发明专利]功率半导体模块用无铅水洗锡膏助焊剂及制备方法在审
申请号: | 202211260426.1 | 申请日: | 2022-10-14 |
公开(公告)号: | CN115647643A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 穆振国 | 申请(专利权)人: | 北京达博长城锡焊料有限公司 |
主分类号: | B23K35/24 | 分类号: | B23K35/24;B23K35/36;B23K35/40;B23K101/40 |
代理公司: | 北京市鼎立东审知识产权代理有限公司 11751 | 代理人: | 陈佳妹;习淼 |
地址: | 100190 北京市通州区中关村*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 半导体 模块 用无铅 水洗 锡膏助 焊剂 制备 方法 | ||
1.一种功率半导体模块用无铅水洗锡膏助焊剂,其特征在于,由以下重量百分比的成分组成:活性剂8-12%,助溶剂:5-7%,缓蚀剂:5-10%,稀释剂:15-25%,助焊剂载体:余量。
2.如权利要求1所述的功率半导体模块用无铅水洗锡膏助焊剂,其特征在于,所述活性剂为如下成分中的一种或一种以上复配而成:
丁二酸酰胺、水杨酸酰胺、丁二酸酐或NA酸酐中。
3.如权利要求1所述的功率半导体模块用无铅水洗锡膏助焊剂,其特征在于,所述助溶剂为三羟甲基丙烷。
4.如权利要求1所述的功率半导体模块用无铅水洗锡膏助焊剂,其特征在于,所述缓蚀剂为如下成分中的一种或一种以上复配而成:
有机胺酯或三异丙醇胺。
5.如权利要求1所述的功率半导体模块用无铅水洗锡膏助焊剂,其特征在于,所述稀释剂为如下成分中的一种或一种以上复配而成:
γ-丁内酯或四氢糠醇。
6.如权利要求1所述的功率半导体模块用无铅水洗锡膏助焊剂,其特征在于,所述助焊剂载体为如下成分中的一种或一种以上复配而成:
松香胺、环己胺、四羟基乙二胺或十六酸季戊四醇酯。
7.一种权利要求1-6中任一项所述的功率半导体模块用无铅水洗锡膏助焊剂的制备方法,其特征在于,包括如下制备步骤:
将助焊剂投入玻璃反应釜中,在温度达到预设温度值后开启搅拌;
将稀释剂加入到高分散乳化机中,并分批次添加活性剂,搅拌后得到活性剂与稀释剂的乳化混合物;其中,高分散乳化机的启动速度设定在1000r/min,待机内混合液体平稳后设定速度为6000-8000r/min,控制混合液体温度不超过80℃;
将缓蚀剂加入玻璃反应釜中进行搅拌,直至混合液体呈透明状态,缓蚀剂混合完成;
将活性剂与稀释剂的乳化混合物加入玻璃反应釜中,与缓蚀剂和助焊剂进行搅拌,直至混合液呈透明状态,得到所述功率半导体模块用无铅水洗锡膏助焊剂的预成品;
将预成品进行冷却、密封冷藏、回温、研磨处理,得到所述功率半导体模块用无铅水洗锡膏助焊剂。
8.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述助焊剂在玻璃反应釜中的预设温度值和搅拌速度分别为:
预设温度值:110℃;搅拌速度:300-400r/min。
9.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述乳化混合物,与缓蚀剂和助焊剂进行搅拌速度为400-500r/min,搅拌至混合液呈透明状态,整体助焊剂混合完成并开启降温,设定降温温度为70℃。
10.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,预成品进行冷却、密封冷藏、回温、研磨处理,具体为:
预成品在玻璃反应釜内,降温至设定温度70℃;
当玻璃反应釜内温度达到70℃后,将预成品导入包装桶内预留排气孔,保持室温冷却3小时,再在20℃循环水浴中冷却3小时;
冷却时间达到,进行密封,送入冰箱冷藏12小时以上;
冷藏时间达到,经室温回温4个小时以上,经三辊研磨机研磨两遍后备用。
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