[发明专利]MIM电容、MIM电容极板及其制备方法

权利要求书

1.一种MIM电容极板，其特征在于，所述电容极板包括：

第一氮化钛层、金属层及第二氮化钛层，所述第一氮化钛层形成于半导体结构的表面，且所述半导体结构至少包括半导体衬底，所述金属层形成于所述第一氮化钛层与所述第二氮化钛层之间，用于改善所述电容极板的平整度及应力。

2.根据权利要求1所述的MIM电容极板，其特征在于，所述金属层包括钛层或底部钛层-中间氮化钛层-顶部钛层形成的层叠结构。

3.根据权利要求1所述的MIM电容极板，其特征在于，所述金属层的厚度包括

4.一种MIM电容极板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在反应腔内，通过控制氮气以于所述半导体结构的表面依次形成第一氮化钛层、金属层及第二氮化钛层，其中，所述半导体结构至少包括半导体衬底。

5.根据权利要求4所述的MIM电容极板的制备方法，其特征在于，所述金属层包括钛层或底部钛层-中间氮化钛层-顶部钛层形成的层叠结构。

6.根据权利要求5所述的MIM电容极板的制备方法，其特征在于，当所述金属层为钛层时，于所述半导体结构的表面依次形成所述第一氮化钛层、所述金属层及所述第二氮化钛层的方法包括：

步骤11)于反应腔内通入氮气，使其与所述反应腔内的金属钛反应以于所述半导体结构的表面形成所述第一氮化钛层；

步骤12)停止通入氮气，使得所述反应腔内的金属钛于所述第一氮化钛层的表面形成钛层；

步骤13)再次于所述反应腔内通入氮气，使其与所述反应腔内的金属钛反应以于所述钛层的表面形成第二氮化钛层。

7.根据权利要求6所述的MIM电容极板的制备方法，其特征在于，在执行步骤11)之后且执行步骤12)之前，所述方法包括将所述反应腔进行冷却的步骤。

8.根据权利要求6所述的MIM电容极板的制备方法，其特征在于，在执行步骤12)时，所述方法包括将所述反应腔内的氮气进行清除的步骤。

9.根据权利要求6所述的MIM电容极板的制备方法，其特征在于，在执行步骤12)之后且执行步骤13)之前，所述方法包括对步骤12)所形成的结构进行降温的步骤。

10.根据权利要求5所述的MIM电容极板的制备方法，其特征在于，当所述金属层为底部钛层-中间氮化钛层-顶部钛层形成的层叠结构时，于所述半导体结构的表面依次形成所述第一氮化钛层、所述金属层及所述第二氮化钛层的方法包括：

步骤21)于所述反应腔内通入氮气，使其与所述反应腔内的金属钛反应以于所述半导体结构的表面形成所述第一氮化钛层；

步骤22)停止通入氮气，使得所述反应腔内的金属钛于所述第一氮化钛层的表面形成所述底部钛层；

步骤23)于所述反应腔内通入氮气，使其与所述反应腔内的金属钛反应以于所述底部钛层的表面形成所述中间氮化钛层；

步骤24)停止通入氮气，使得所述反应腔内的金属钛于所述中间氮化钛层的表面形成所述顶部钛层；

步骤25)于所述反应腔内通过氮气，于所述顶部钛层的表面形成所述第二氮化钛层。

11.根据权利要求10所述的MIM电容极板的制备方法，其特征在于，在执行步骤21)之后且执行步骤22)之前及执行步骤23)之后且执行步骤24)之前，所述方法包括将所述反应腔进行冷却的步骤。

12.根据权利要求10所述的MIM电容极板的制备方法，其特征在于，在执行步骤22)及执行步骤24)时，所述方法包括将所述反应腔内的氮气进行清除的步骤。

13.根据权利要求10所述的MIM电容极板的制备方法，其特征在于，在执行步骤22)之后且执行步骤23)之前，所述方法包括对步骤22)所形成的结构进行降温的步骤。