[发明专利]光学半导体元件在审
申请号: | 202211260574.3 | 申请日: | 2022-10-14 |
公开(公告)号: | CN116581133A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 吴智琮 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 半导体 元件 | ||
1.一种光学半导体元件,包括:
一逻辑晶粒,包括一前表面;
一存储器晶粒,包括:
一前表面,设置在该逻辑晶粒的该前表面上;以及
一后表面,相对该存储器晶粒的该前表面设置;以及
一感测器晶粒,包括:
一前表面,设置在该存储器晶粒的该后表面上;
一后表面,相对该感测器晶粒的该前表面设置;
一感测器单元,设置在该感测器晶粒的该后表面处;
一彩色滤光片,设置在该感测器晶粒的该后表面上;以及
一微透镜,设置在彩色滤光片上。
2.如权利要求1所述的光学半导体元件,其中该感测器单元、该彩色滤光片以及该微透镜形貌上对准。
3.如权利要求2所述的光学半导体元件,还包括一上层,设置在该感测器晶粒与该彩色滤光片之间;其中该上层包括一下抗反射涂布。
4.如权利要求3所述的光学半导体元件,其中该感测器单元为一光二极管。
5.如权利要求1所述的光学半导体元件,还包括:
一第一晶粒内通孔,设置在该存储器晶粒的一存储器周围区中;
一着陆垫,设置在该第一晶粒内通孔上;以及
一第一晶粒间通孔,设置在该感测器晶粒的一感测器周围区中;
其中该第一晶粒内通孔以及该第一晶粒间通孔经由该着陆垫以一串接方式而电性耦接。
6.如权利要求5所述的光学半导体元件,其中该第一晶粒内通孔与该第一晶粒间通孔并未在形貌上对准。
7.如权利要求6所述的光学半导体元件,其中该第一晶粒内通孔电性连接到该逻辑晶粒的一周围电路区。
8.如权利要求7所述的光学半导体元件,其中该感测器晶粒包括:
一介电层,设置在该存储器晶粒上;
一基底,设置在该感测器晶粒的该介电层上;以及
一感测器单元,设置在该感测器晶粒的该基底中;
其中该第一晶粒间通孔沿该感测器的该基底以及该感测器晶粒的该介电层贯穿而设置,且设置在该着陆垫上。
9.如权利要求8所述的光学半导体元件,还包括一转移栅极,设置在该感测器晶粒的该介电层中。
10.如权利要求9所述的光学半导体元件,还包括一浮动扩散单元,设置在该感测器晶粒的该基底中,并设置在该转移栅极的一漏极中。
11.如权利要求10所述的光学半导体元件,还包括一彩色滤光片,设置在该感测器晶粒的该基底上以及在该感测器单元上方。
12.如权利要求11所述的光学半导体元件,还包括一微透镜,设置在该彩色滤光片上。
13.如权利要求12所述的光学半导体元件,还包括一上层,设置在该彩色滤光片与该感测器晶粒的该基底之间;其中该上层包括一下抗反射涂布。
14.如权利要求13所述的光学半导体元件,还包括一中介隔离层,设置在该存储器晶粒与该感测器晶粒之间;其中该着陆垫设置在该中介隔离层中。
15.如权利要求14所述的光学半导体元件,其中该感测器单元包括一光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的