[发明专利]实体存储对照表产生装置及方法

说明书

本发明的实施例提出一种实体存储对照表产生装置，该装置包含：直接存储器访问控制器；扩充电路和控制器。扩充电路扩充相应于主装置请求的实体存储对照表中的第一实体位置信息为使用更多字节数目表示的第二实体位置信息，使得第二实体位置信息符合闪存存储标准规范的输出格式。控制器回复第二实体位置信息给主装置。通过使用扩充电路产生符合闪存存储标准规范的输出格式的第二实体位置信息，可减少输出实体存储对照表给主装置的等待时间。

本申请是为分案申请，原申请的申请日为：2018年6月25日；申请号为：201810664292.7；发明名称为：实体存储对照表产生装置及方法。

技术领域

本发明涉及存储装置，尤指一种实体存储对照表产生装置及方法。

背景技术

闪存存储装置通常分为NOR闪存存储装置与NAND闪存存储装置。NOR闪存存储装置为随机存取装置，主装置(host)可于地址引脚上提供任何存取NOR闪存存储装置的地址，并及时地从NOR闪存存储装置的数据引脚上获得存储于该地址上的数据。相反地，NAND闪存存储装置并非随机存取，而是序列存取。NAND闪存存储装置无法像NOR闪存存储装置一样，可以存取任何随机地址，主装置反而需要写入序列的字节(bytes)的值到NAND闪存存储装置中，用以定义请求命令(command)的类型(如，读取、写入、抹除等)，以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(闪存存储装置中写入操作的最小数据块)或一个区块(闪存存储装置中抹除操作的最小数据块)。

实际上，为了提升写入的速度，一段连续逻辑位置的数据可能被散布放置于数个实体的闪存存储单元中，并且NAND闪存存储装置使用实体存储对照表来指出数据被写入到实体闪存存储单元中的何处。当主装置发送包含逻辑位置的数据读取命令给NAND闪存存储装置，NAND闪存存储装置须依据实体存储对照表的内容将逻辑位置转换为实体位置，然后再从实体位置读取数据并回复给主装置。然而，由于NAND闪存存储装置中数据缓冲区的空间有限，无法存储完整的实体存储对照表以供快速查找，只能存储其中的一部分。当主装置发出的读取命令中的逻辑位置无法命中数据缓存区的部分实体存储对照表时，NAND闪存存储装置必须耗费大量时间从闪存存储单元中读取适当部分的实体存储对照表，增加主装置取得数据的等待时间(latency)。

为降低等待时间，新的闪存记忆标准可让主装置可直接发送包含实体位置的数据读取命令给NAND闪存存储装置。但是，主装置需要先从NAND闪存存储装置取得实体存储对照表，才能进行逻辑实体地址转换。为了让主装置可以跟不同制造商的NAND闪存存储装置通信，闪存记忆标准规范实体存储对照表的输出格式。然而，标准规范的输出格式通常不同于NAND闪存存储装置的内部使用格式，需要进行转换。因此，本发明提出一种装置及方法，用以节省产生符合规范的实体存储对照表的时间。

发明内容

有鉴于此，如何减轻或消除上述相关领域的缺失，实为有待解决的问题。

本发明提供一种实体存储对照表产生装置的实施例，其包含：直接存储器访问控制器、扩充电路及控制器。直接存储器访问控制器从数据缓冲区读取实体存储对照表中相应于逻辑位置的第一实体位置信息。扩充电路扩充第一实体位置信息为使用更多数目的字节表示的第二实体位置信息。控制器回复第二实体位置信息给主装置。

上述实施例的优点是通过使用扩充电路产生符合闪存存储标准规范的输出格式的第二实体位置信息，降低输出实体存储对照表给主装置的等待时间。

上述实施例的另一优点是避免数据缓冲区配置额外空间存储符合闪存存储标准规范的输出格式的第二实体位置信息。

本发明的其他优点将配合以下的说明和附图进行更详细的解说。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。