[发明专利]过压保护电路及装置

说明书

本申请涉及一种过压保护电路及装置，涉及电子技术领域，该过压保护电路包括：电压检测模块、比较模块、辅助开关模块以及晶体管模块；所述电压检测模块用于检测所述晶体管模块的电压应力信号；所述比较模块用于基于所述电压应力信号，向所述辅助开关模块输出开关控制信号；所述辅助开关模块用于基于所述开关控制信号和第一信号端提供的第一信号，向所述晶体管模块输出门极充电信号；所述晶体管模块用于基于所述门极充电信号，泄放所述电压应力信号对应的能量，从而降低了晶体管模块的电压应力，可靠性高，且电路结构简单，降低成本。

技术领域

本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种过压保护电路及装置。

背景技术

绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是一种被广泛应用在电力电子电路装置中的电子器件，其常常应用在高压大电流的工况，其损坏的重要原因是IGBT过流。

在高压大功率应用中，IGBT往往承受较大电流，且负载过载、外部干扰、内部信号错误等原因，都会造成IGBT器件电流急剧增加，从而使电流超过其容量限制，为了避免IGBT过热损坏，则需要及时关断IGBT器件进行保护。

但是，在IGBT过流关断的过程中，由于IGBT关断换流回路存在杂散电感，容易产生感应电动势，该电压叠加在母线电压上，使得IGBT的集电极和发射极之间产生较大的电压应力，造成了IGBT电压应力过载击穿的问题。

发明内容

本申请提供了一种过压保护电流及装置，以解决IGBT过流关断的过程中，集电极和发射极之间产生较大的电压应力，造成的IGBT电压应力过载击穿的问题。

第一方面，本申请提供了一种过压保护电路，包括：电压检测模块、比较模块、辅助开关模块以及晶体管模块；

所述电压检测模块用于检测所述晶体管模块的电压应力信号；

所述比较模块用于基于所述电压应力信号，向所述辅助开关模块输出开关控制信号；

所述辅助开关模块用于基于所述开关控制信号和第一信号端提供的第一信号，向所述晶体管模块输出门极充电信号；

所述晶体管模块用于基于所述门极充电信号，泄放所述电压应力信号对应的能量。

可选的，所述辅助开关模块包含：开关晶体管、第一电阻、第二电阻以及第一二极管；

所述开关晶体管的控制端与所述第二电阻的第一端以及所述比较模块的输出端电连接，所述开关晶体管的第一端与所述第一电阻的第一端以及所述第一二极管的阳极电连接，所述开关晶体管的第二端与参考地电连接；

所述第一二极管的阴极与所述晶体管模块的控制端电连接，所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第二端均与所述第一信号端电连接。

可选的，所述开关晶体管为NPN型三极管或N型场效应晶体管。

可选的，所述开关晶体管为PNP型晶体管或P型场效应管，所述辅助开关模块还包括：第三电阻；

所述第三电阻的第一端与所述开关晶体管的第二端电连接，所述第三电阻的第二端与所述参考地电连接。

可选的，所述过压保护电路还包括：驱动模块，所述驱动模块的输出端与所述晶体管模块的控制端电连接。

可选的，所述辅助开关模块还包括：第一场效应管和第二二极管；

所述第一场效应管的控制端与所述开关晶体管的控制端及所述比较模块的输出端电连接，所述第一场效应管的第一端与所述驱动模块的输出端及所述第二二极管的阳极电连接，所述第一场效应管的第二端与所述晶体管模块的控制端及所述第二二极管的阴极电连接。