[发明专利]一种MEMS谐振器系统在审
| 申请号： | 202211269370.6 | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115622528A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 张凯凡;张昊城;车录锋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H03H9/24 | 分类号： | H03H9/24;H03H9/02 |
| 代理公司： | 绍兴锋行知识产权代理事务所(普通合伙) 33460 | 代理人： | 徐锋 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 谐振器 系统 | ||
1.一种MEMS谐振器系统，其特征在于，包括
谐振环(1)，所述谐振环(1)设置有六个，且六个所述谐振环(1)的结构相同；
耦合梁(2)，每个所述耦合梁(2)均与两个谐振环(1)连接；
中心锚点(5)，所述中心锚点(5)位于整个系统的中心，所述中心锚点(5)用于支撑若干耦合梁(2)；
驱动/检测电极，所述驱动/检测电极分别位于谐振环(1)的内侧和外侧。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS谐振器系统，其特征在于，六个所述谐振环(1)工作于呼吸模态，所述呼吸模态时，谐振环(1)的谐振结构径向扩展或收缩。
3.根据权利要求1所述的一种MEMS谐振器系统，其特征在于，所述耦合梁(2)的长度为谐振环(1)谐振波长的1/2，若干所述耦合梁(2)围绕中心锚点(5)均匀环绕分布，且相邻两根所述耦合梁(2)之间的角度为60度。
4.根据权利要求3所述的一种MEMS谐振器系统，其特征在于，所述耦合梁(2)与谐振环(1)连接处为耦合梁(2)的最大振幅位置，所述耦合梁(2)与中心锚点(5)的连接处为耦合梁(2)的最小振幅位置。
5.根据权利要求1所述的一种MEMS谐振器系统，其特征在于，所述驱动/检测电极包括位于六个谐振环(1)内外的所有电极，且至少一个所述谐振环(1)的驱动电极与外部的交流源相连。
6.根据权利要求1所述的一种MEMS谐振器系统，其特征在于，所述中心锚点(5)处耦合有直流电压，所述直流电压用于为系统提供直流偏置。
7.根据权利要求1所述的一种MEMS谐振器系统，其特征在于，所述驱动/检测电极包括驱动电极和检测电极，所述驱动电极同时设置在六个谐振环(1)外侧或内侧电极(3)，所述检测电极同时设置在另一侧电极，定义为单路模式。
8.根据权利要求1所述的一种MEMS谐振器系统，其特征在于，所述驱动电极包括正驱动电极和负驱动电极，所述检测电极包括正检测电极和负检测电极，所述正驱动电极和正检测电极同时设置在三个相邻谐振环(1)的外侧和内侧电极(3)，所述负驱动电极和负检测电极设置在另外三个谐振器的内侧和外侧电极(4)，定义为差分模式。
9.根据权利要求1所述的一种MEMS谐振器系统，其特征在于，所述谐振环(1)、耦合梁(2)、中心锚点(5)和驱动/检测电极的材料为多晶硅、单晶硅、SiC或压电材料。
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