[发明专利]卤素钙钛矿异质结光电探测器及其制备方法以及信息通信的装置

权利要求书

1.一种卤素钙钛矿异质结光电探测器的制备方法，其包括步骤：

步骤一，称取MAB与PbBr₂，加入N，N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液并搅拌，直至溶液呈澄清透明状，即获得钙钛矿(MAPbBr₃)的前驱体溶液；

步骤二，加热MAPbBr₃的前驱体溶液，程序升温，直到120℃为止并保持直到单晶生长出来，将生长的单晶放入新的前驱体溶液中，直至获得MAPbBr₃钙钛矿块状单晶；

步骤三，将步骤一中的PbBr₂替换为PbCl₂，重复步骤一和步骤二，溶剂替换为DMF和DMSO混合溶剂1∶1，再制备出MAPbCl₃钙钛矿块状单晶；

步骤四，制备异质结，滴入MAPbBr₃前驱体溶液，溶解MAPbCl₃和MAPbBr₃钙钛矿块状单晶的(100)平面的表面，使MAPbCl₃和MAPbBr₃钙钛矿块状单晶的(100)平面键合在一起，对单晶异质结施加一定压力，之后，将单晶异质结进行加热；

步骤五，在制备好的钙钛矿异质结上制备电极，制成基于MAPbBr₃/MAPbCl₃钙钛矿异质结的光电探测器。

2.根据权利要求1所述的卤素钙钛矿异质结光电探测器的制备方法，其特征在于，

在步骤一中，所述MABr的重量为1.1g-2.3g，纯度≥99.5％；

在步骤一中，所述PbBr₂的重量为3.6g-7.3g、纯度≥99.5％；

在步骤一中，所述N，N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液的容量为9ml-21ml。

3.根据权利要求1所述的卤素钙钛矿异质结光电探测器的制备方法，其特征在于，

在步骤二中的程序升温为：初始温度设置为60℃，之后每30分钟升高10℃直到温度达到90℃，直到120℃为止。

4.根据权利要求1所述的卤素钙钛矿异质结光电探测器的制备方法，其特征在于，

在步骤四中，所述MAPbBr₃溶液浓度为1M。

5.根据权利要求1所述的卤素钙钛矿异质结光电探测器的制备方法，其特征在于，

在步骤四中，所述加热的条件为保持50℃的温度24h。

6.根据权利要求1所述的卤素钙钛矿异质结光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤五的具体步骤为：首先，将电极掩模版放在制备好的MAPbBr₃/MAPbCl₃钙钛矿异质结上，然后用蒸镀的方法，在真空气氛下，把Au金属蒸发并淀积在钙钛矿异质结上，最后得到基于MAPbBr₃/MAPbCl₃钙钛矿异质结的光电探测器。

7.一种卤素钙钛矿异质结光电探测器，根据权利要求1-6任一项所述的卤素钙钛矿异质结光电探测器的制备方法制备得到，其特征在于，所述探测器常温下可快速检测450nm-325nm的光。

8.根据权利要求7所述的卤素钙钛矿异质结光电探测器，其特征在于，所述探测器可以进行双通道光通信任务。

9.一种信息通信的装置，其包括权利要求7-8任一项所述的卤素钙钛矿异质结光电探测器。