[发明专利]钐钴磁体的制备方法及钐钴磁环的制备方法

说明书

本发明公开了一种钐钴磁体的制备方法及钐钴磁环的制备方法。钐钴磁体的制备方法，包括如下步骤：将由包括24～30wt％Sm、15～25wt％Fe、2～7wt％Zr、4～9wt％Cu和45～55wt％Co的原料形成的合金粉末自然压制成非环状的初坯；将初坯等静压成型，得到生坯；将生坯经过烧结固溶，得到烧结体；将烧结体进行时效处理，得到钐钴磁体。采用该钐钴磁体形成的钐钴磁环的开裂率低。

技术领域

本发明涉及一种钐钴磁体的制备方法，还涉及一种多极或辐射钐钴磁环的制备方法。

背景技术

目前，多极或辐射钐钴磁环通常需要将磁粉通过专用的多极磁场或辐射磁场压机设备压制成环状坯体，再将环状坯体烧结制得。一方面，该方法需要专用的多极磁场或辐射磁场压机，对于设备的要求较高。另一方面，在取向压制、脱蜡或加工的过程中磁性材料会发生开裂的现象。这增加了多极或辐射钐钴磁环的制备加工难度。

CN1794385A公开了一种辐射取向永磁环的制备方法，将磁粉在辐射磁场取向成型，得到辐射取向永磁毛坯环；将辐射取向永磁毛坯环经过烧结和热处理得到辐射取向永磁环。该方法所得永磁环容易产生开裂。

CN111768965A公开了一种环形辐射取向磁体的制备方法，通过在辐射环钕铁硼毛坯的表面涂覆含有重稀土的溶液，避免辐射环钕铁硼磁体烧结过程中的开裂问题。CN109192425A公开了一种高韧性烧结钕铁硼辐射环，其通过加入组成为RE_xCu_1-x的增韧粉降低钕铁硼辐射环开裂的现象。CN103567439A公开了辐射环的取向压制方法，该方法通过特定的取向压制装置，经过多次取向压制制备辐射环，以减少开裂。上述方法均适用于钕铁硼磁体。

发明内容

有鉴于此，本发明的一个目的在于提供一种钐钴磁体的制备方法，采用该钐钴磁体形成的钐钴磁环的开裂率低。

本发明的再一个目的在于提供一种钐钴磁环的制备方法，其能够减少钐钴磁环的开裂率。进一步地，本发明的方法制备得到的钐钴磁环具有优异的磁性能。

上述技术目的通过如下技术方案实现。

一方面，本发明提供了一种钐钴磁体的制备方法，包括如下步骤：

将由包括24～30wt％Sm、15～25wt％Fe、2～7wt％Zr、4～9wt％Cu和45～55wt％Co的原料形成的合金粉末自然压制成非环状的初坯；

将初坯等静压成型，得到生坯；

将生坯经过烧结固溶，得到烧结体；

将烧结体进行时效处理，得到钐钴磁体。

根据本发明的制备方法，优选地，所述原料中不含有重稀土。

根据本发明的制备方法，优选地，所述合金粉末的粒度为1.0～8.0μm，所述初坯的密度为2.5～7.5g/cm³。

根据本发明的制备方法，优选地，等静压成型的压制压力为15～24MPa，压制时间为5～35s。

根据本发明的制备方法，优选地，所述生坯的密度为3.5～8.5g/cm³。

根据本发明的制备方法，优选地，将生坯先在压强≤2Pa的条件下升温脱蜡，然后烧结固溶。

根据本发明的制备方法，优选地，烧结固溶在压强≤2Pa的条件下进行；烧结温度为1000～1500℃，烧结时间为0.5～3h；固溶温度为900～1400℃，固溶时间为1～10h。

根据本发明的制备方法，优选地，将烧结体在压强≤2Pa且温度为700～1000℃的条件下烧结10～25h，然后在压强≤2Pa且温度为200～600℃的条件下烧结0.5～5h，得到钐钴磁体。