[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202211272059.7 | 申请日: | 2022-10-18 |
公开(公告)号: | CN115995475A | 公开(公告)日: | 2023-04-21 |
发明(设计)人: | 金珉宽;李昌圭;赵寅成;金埈弘;表真善 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
基板;
像素隔离图案,在所述基板中并在所述基板中限定多个单位像素区;
多个滤色器,在所述基板上并分别对应于所述多个单位像素区;
低折射率图案,在所述多个滤色器中的相邻的滤色器之间以使所述相邻的滤色器至少部分地隔开而不彼此直接接触;
绝缘结构,在所述基板和所述多个滤色器之间;以及
光阻挡图案,与所述像素隔离图案垂直地重叠,
其中所述光阻挡图案在所述绝缘结构内并与所述低折射率图案隔开而不直接接触。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述低折射率图案具有网格结构。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光阻挡图案的宽度与所述像素隔离图案的最小宽度的比率在从0.85至1.15的范围内。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述绝缘结构包括:依次堆叠在所述基板上并包括不同材料的第一固定电荷层、第二固定电荷层和平坦化层。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中所述光阻挡图案在所述第一固定电荷层上从而与所述像素隔离图案隔开而不直接接触。
6.根据权利要求4所述的图像传感器,其中所述第一固定电荷层的厚度在从5nm至30nm的范围内。
7.根据权利要求4所述的图像传感器,其中所述光阻挡图案在所述第二固定电荷层上。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述低折射率图案的底表面与所述绝缘结构直接接触。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光阻挡图案的厚度在从5nm至10nm的范围内。
10.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光阻挡图案的厚度与所述绝缘结构的厚度的比率在从1/70至1/9的范围内。
11.一种图像传感器,包括:
基板,具有彼此相反的第一表面和第二表面;
像素隔离图案,穿透所述基板并在所述基板中限定多个单位像素区,每个所述单位像素区在所述基板中包括单独的光电转换区;
在所述基板的所述第一表面上的绝缘结构;
在所述绝缘结构上的多个滤色器;
在所述绝缘结构上的低折射率图案,所述低折射率图案使所述多个滤色器中的相邻的滤色器至少部分地彼此隔开;
与所述像素隔离图案垂直地重叠的光阻挡图案;以及
在所述基板的所述第二表面上的互连层,
其中所述低折射率图案的底表面与所述绝缘结构的顶表面直接接触,以及
其中所述光阻挡图案通过所述绝缘结构与所述低折射率图案隔开而不直接接触。
12.根据权利要求11所述的图像传感器,其中所述光阻挡图案在所述绝缘结构内。
13.根据权利要求11所述的图像传感器,其中
所述绝缘结构包括依次堆叠在所述基板的所述第一表面上并包括不同材料的第一固定电荷层、第二固定电荷层和平坦化层,以及
所述光阻挡图案在所述第一固定电荷层和所述第二固定电荷层之间。
14.根据权利要求13所述的图像传感器,其中
所述第一固定电荷层包括铝氧化物、钽氧化物、钛氧化物和铪氧化物中的一种,以及
所述第二固定电荷层包括铝氧化物、钽氧化物、钛氧化物和铪氧化物中的另一种。
15.根据权利要求13所述的图像传感器,其中所述第一固定电荷层的厚度小于所述第二固定电荷层的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211272059.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光半导体元件
- 下一篇:一种含全氟丁基乙基醚的多元共聚物、含氟树脂及制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的