[发明专利]一种自驱动薄膜光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种自驱动薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成铜锌锡硫前驱体膜，对所述铜锌锡硫前驱体膜进行过饱和硒化处理，得到铜锌锡硫硒吸收层；

采用化学水浴法在所述铜锌锡硫硒吸收层上沉积硫化镉缓冲层；

采用磁控溅射法在所述硫化镉缓冲层上沉积氧化铟锡窗口层，在所述氧化铟锡窗口层上热蒸发银电极，得到所述自驱动薄膜光电探测器。

2.根据权利要求1所述的自驱动薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成铜锌锡硫前驱体膜的步骤，具体包括：

提供铜锌锡硫前驱体溶液；

将所述衬底加热至预设温度，将所述铜锌锡硫前驱体溶液在所述衬底上旋涂6-10次，得到铜锌锡硫前驱体膜。

3.根据权利要求2所述的自驱动薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，所述预设温度为260～280℃。

4.根据权利要求1所述的自驱动薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，所述对所述铜锌锡硫前驱体膜进行过饱和硒化处理，得到铜锌锡硫硒吸收层的步骤，具体为：在石墨盒内放置所述铜锌锡硫前驱体膜，再放入带有硒粒的石英舟，然后将所述石墨盒置于管式炉内在惰性气氛下加热，得到所述铜锌锡硫硒吸收层。

5.根据权利要求1所述的自驱动薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，所述过饱和硒化处理的温度为500～600℃，所述过饱和硒化处理的时间为10～20min。

6.根据权利要求1所述的自驱动薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，所述铜锌锡硫硒吸收层的厚度为1.0～1.4μm。

7.根据权利要求1所述的自驱动薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，所述采用化学水浴法在所述铜锌锡硫硒吸收层上沉积硫化镉缓冲层的步骤，具体为：基于硫酸镉、硫脲和氨水的混合水溶液在70～90℃下在所述铜锌锡硫硒吸收层薄膜上化学水浴沉积硫化镉缓冲层。

8.根据权利要求1所述的自驱动薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，所述在所述硫化镉缓冲层上磁控溅射沉积氧化铟锡窗口层的步骤，具体为：在0.3～0.5Pa的压强下，以100～140W的功率在所述硫化镉缓冲层上磁控溅射沉积氧化铟锡窗口层。

9.根据权利要求1所述的自驱动薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，所述衬底为镀钼玻璃衬底；所述硫化镉缓冲层的厚度为50～100nm；所述氧化铟锡窗口层的厚度为300～500nm。

10.一种自驱动薄膜光电探测器，其特征在于，采用如权利要求1～9任一项所述的方法制得。