[发明专利]一种半导体器件的制备方法

说明书

本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：S11，将硅基键合至石墨载板，完成沟槽的制备、填充及平坦化处理后制备ILD层；S12，蚀刻ILD层，制备第一孔段；S13，将硅基通过切割模框从石墨载板转移至玻璃载板；S14，在硅基和玻璃载板制备防护层；S15，蚀刻去除部分防护层，至少保留位于接触孔内的防护层；S16，沿第一孔段蚀刻形成接触孔；S17，在接触孔制备铂硅化合物；S18，在硅基制备铝块。本发明的半导体器件的制备方法，可以利用防护层将硅基牢固、可靠地固定至玻璃载板，无需其他键合工艺。而且，在第一孔段内壁预留的防护层有利于接触孔的制备，解决了接触孔对准困难及在距离较小的相邻沟槽间制备接触孔困难的问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件加工技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

背景技术

半导体器件制备过程中，涉及沟槽和接触孔的制备，当沟槽间的距离较小时，在相邻沟槽间开接触孔存在困难。而且，半导体器件制备过程中，涉及到硅基向不同载体上的转移固定，相关技术中，硅基转移固定至不同载体上的操作工艺有待优化。

发明内容

本发明要解决的技术问题是对半导体器件的制备工艺进行优化，本发明提出一种半导体器件的制备方法。

根据本发明实施例的半导体器件的制备方法，包括：

S11，将硅基键合至石墨载板，完成沟槽的制备、填充及平坦化处理后制备ILD层；

S12，蚀刻ILD层，制备第一孔段；

S13，将所述硅基通过切割模框从所述石墨载板转移至玻璃载板；

S14，在所述硅基和所述玻璃载板制备防护层；

S15，蚀刻去除部分所述防护层，至少保留位于接触孔内的防护层；

S16，沿所述第一孔段蚀刻形成接触孔；

S17，在所述接触孔制备铂硅化合物；

S18，在所述硅基制备铝块。

根据本发明的一些实施例，步骤S13包括：

S131，翻转所述硅基和所述石墨载板，使所述硅基正面置于所述切割模框；

S132，解键合所述硅基和所述石墨载板；

S133，翻转所述切割模框和所述硅基，使所述硅基背面置于所述玻璃载板；

S134，移除所述玻璃载板。

在本发明的一些实施例中，S14中的防护层为氮氧化硅。

根据本发明的一些实施例，步骤S15中，蚀刻所述防护层时，在所述第一孔段内壁预留部分所述防护层形成侧壁。

在本发明的一些实施例中，步骤S16中，在所述侧壁的防护作用下，沿所述第一孔段蚀刻制备所述接触孔。

根据本发明的一些实施例，步骤S15中，蚀刻所述防护层时，预留所述硅基周缘及所述玻璃载板上表面处的所述防护层。

在本发明的一些实施例中，步骤S15中，蚀刻所述防护层前，采用挡板遮挡所述硅基周缘，以在蚀刻所述防护层时，保护所述硅基周缘处的所述防护层。

在本发明的一些实施例中，步骤S17包括：

S171，在硅基表面沉积铂金属，铂金属与接触孔处的硅或多晶硅生成铂硅化合物；

S172，采用王水去除除接触孔处的铂硅化合物外的铂金属。

根据本发明的一些实施例，步骤S18包括：

S181，在所述硅基的表面制备铝层；