[发明专利]用于无线功率接收器的装置、控制电路及自适应控制方法有效
申请号: | 202211275293.5 | 申请日: | 2022-10-18 |
公开(公告)号: | CN115360831B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 宋益圭;李俊荣;吕焕杰 | 申请(专利权)人: | 伏达半导体(合肥)有限公司 |
主分类号: | H02J50/10 | 分类号: | H02J50/10;H02J50/12;H02J50/80;H04B5/00;H04L27/04 |
代理公司: | 上海佰特专利代理事务所(普通合伙) 31464 | 代理人: | 张彦敏 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高新区创新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 无线 功率 接收器 装置 控制电路 自适应 控制 方法 | ||
1.一种用于无线功率接收器的装置,包括:
接收线圈;
整流器,具有第一输入和第二输入,所述第一输入耦合到所述接收线圈的第一端,所述第二输入通过谐振电容器耦合到所述接收线圈的第二端,所述整流器被配置为将交流电压转换成用于耦合到所述装置的负载的直流电压;
第一电容器和第一开关网络,串联连接在所述第一输入和地之间;和
第二电容器和第二开关网络,串联连接在所述第二输入和地之间,所述第一开关网络和所述第二开关网络中的每个开关网络包括至少两个并联连接的场效应晶体管(FET),其中所述第一开关网络和所述第二开关网络被配置为调节耦合到所述接收线圈的阻抗,所述阻抗包括第一阻抗和第二阻抗,所述第一阻抗与所述装置使用的幅移键控(ASK)调制的高状态相关,所述第二阻抗与所述装置使用的幅移键控(ASK)调制的低状态相关。
2.如权利要求1所述的装置,其中:
所述第一开关网络和所述第二开关网络中的每个开关网络包括四个FET;
当所述第一开关网络和所述第二开关网络中的每个开关网络中的所述四个FET均导通时,所述第一阻抗耦合到所述接收线圈;和
当所述第一开关网络和所述第二开关网络中的每个开关网络中的所述四个FET中的两个FET导通,并且所述第一开关网络和所述第二开关网络中的每个开关网络中的所述四个FET中的另外两个FET断开时,所述第二阻抗耦合到所述接收线圈。
3.如权利要求1所述的装置,还包括:
第三电容器和第三开关网络,串联连接在所述第一输入和地之间;和
第四电容器和第四开关网络,串联连接在所述第二输入和地之间,其中:
所述第一开关网络、所述第二开关网络、所述第三开关网络和所述第四开关网络中的每个网络包括两个并联连接的FET;
当所述第一开关网络、所述第二开关网络、所述第三开关网络和所述第四开关网络中的每个开关网络中的两个FET导通时,所述第一阻抗耦合到所述接收线圈;和
当所述第一开关网络和所述第三开关网络中的每个开关网络中的所述两个FET导通,所述第二开关网络和所述第四开关网络中的每个开关网络中的一个FET导通,并且所述第二开关网络和所述第四开关网络中的每个开关网络中的另一个FET断开时,所述第二阻抗耦合到所述接收线圈。
4.如权利要求1所述的装置,其中:
所述第一开关网络包括均以欧姆模式工作的第一FET和第二FET;
所述第二开关网络包括均以欧姆模式工作的第三FET和第四FET;
当所述第一FET、所述第二FET、所述第三FET和所述第四FET由栅-源电压的第一配置控制时,所述第一阻抗耦合到所述接收线圈;以及
当所述第一FET、所述第二FET、所述第三FET和所述第四FET由栅-源电压的第二配置控制时,所述第二阻抗耦合到所述接收线圈。
5.如权利要求1所述的装置,其中:
所述第一开关网络包括第一FET和第二FET,所述第二FET工作在欧姆模式;
所述第二开关网络包括第三FET和第四FET,所述第四FET工作在欧姆模式;
当所述第一FET和所述第三FET导通,并且所述第二FET和所述第四FET由栅-源电压的第一配置控制时,所述第一阻抗耦合到所述接收线圈;和
当所述第一FET和所述第三FET导通,并且所述第二FET和所述第四FET由栅-源电压的第二配置控制时,所述第二阻抗耦合到所述接收线圈。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置包括在无线功率传输系统中,以及其中,所述无线功率传输系统还包括发射器,所述发射器的发射线圈磁耦合于所述接收线圈。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,根据所述整流器的第一输出端和第二输出端之间的电压测量值来调节所述阻抗。
8.根据权利要求6所述的装置,其中,根据来自所述发射器的反馈来调节所述阻抗。
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