[发明专利]二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种二极管，其特征在于，包括：

基底；

至少一个第一电极，所述第一电极形成于所述基底之上；

至少一个第二电极，所述第二电极形成于所述基底之上，且与所述第一电极间隔开；以及

半导体沟道层，至少设置在所述第一电极和所述第二电极之间，

其中，所述沟道层形成有第一类型掺杂区和第二类型掺杂区，

所述第一类型掺杂区形成在所述沟道层的第一部分区域，并且与所述第一电极对应设置，所述第一类型掺杂区的第一类型掺杂基于设置在所述第一部分区域之上的第一介质层实现；以及所述第二类型掺杂区设置在所述沟道层的第二部分区域，所述第一区域与所述第二区域为所述沟道层的不同区域，并且所述第一类型掺杂与所述第二类型掺杂区的第二类型掺杂为不同类型的掺杂。

2.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第一介质层由带有空间电荷的第一介质材料形成。

3.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第一介质层为氮化物或氧化物。

4.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述沟道层由碳纳米管构成。

5.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第二类型掺杂区通过接触掺杂、自然掺杂或者基于第二介质层实现第二类型掺杂。

6.如权利要求1至5中任一项所述的二极管，其特征在于，所述第一介质层由能够将第一类型掺杂区构成n掺杂区的第一介质材料形成，并且所述第二类型掺杂区为p掺杂区。

7.如权利要求6所述的二极管，其特征在于，在所述沟道层设置第二介质层，以便形成所述第二类型掺杂区，并且在所述第二介质层之上设置第一介质层，以便形成所述第一类型掺杂区。

8.如权利要求7所述的二极管，其特征在于，所述第一介质层及第二介质层作为钝化层。

9.一种二极管的制备方法，其特征在于，包括：

准备基底；

在所述基底制作栅极；

至少在所述栅极上制备栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上制备半导体沟道层；

制备至少一个第一电极和至少一个第二电极，使得所述沟道层至少位于所述第一电极和第二电极之间；以及

在所述沟道层形成第一类型掺杂区和第二类型掺杂区，其中，所述第一类型掺杂区形成在所述沟道层的第一部分区域，并且与所述第一电极对应设置，所述第一类型掺杂区的第一类型掺杂基于设置在所述第一部分区域之上的第一介质层实现；以及所述第二类型掺杂区设置在所述沟道层的第二部分区域，所述第一区域与所述第二区域为所述沟道层的不同区域，并且所述第一类型掺杂与所述第二类型掺杂区的第二类型掺杂为不同类型的掺杂。

10.一种二极管的制备方法，其特征在于，包括：

制备基底；

在所述基底上制备半导体沟道层；

制备至少一个第一电极和至少一个第二电极，使得所述沟道层至少位于所述第一电极和第二电极之间；

在所述沟道层形成第一类型掺杂区和第二类型掺杂区；

在所述沟道层之上制备栅绝缘层；以及

在所述栅绝缘层上制备栅极，

其中所述第一类型掺杂区形成在所述沟道层的第一部分区域，并且与所述第一电极对应设置，所述第一类型掺杂区的第一类型掺杂基于设置在所述第一部分区域之上的第一介质层实现；以及所述第二类型掺杂区设置在所述沟道层的第二部分区域，所述第一区域与所述第二区域为所述沟道层的不同区域，并且所述第一类型掺杂与所述第二类型掺杂区的第二类型掺杂为不同类型的掺杂。