[发明专利]一种深紫外LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202211276180.7 | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN115360276B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 至善时代智能科技（北京）有限公司;至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 102629 北京市大兴区中关村科技园区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种深紫外LED外延结构，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构层、P型电子阻挡层、P型AlGaN空穴注入层和P型GaN覆盖层；
所述缓冲层包括依次层叠设置的AlN缓冲层和非掺杂的AlGaN层；所述AlN缓冲层设置于所述衬底的表面；
所述多量子阱结构层包括层叠设置的电子诱捕层和量子阱发光层；
所述电子诱捕层包括依次交替层叠设置的诱捕垒和诱捕阱；
所述诱捕垒的材料为AlxGa1-xN，其中x的取值范围为1x0.5；
所述电子诱捕层中的各层诱捕垒中x的取值相同，厚度不同；
所述诱捕垒的厚度为1~15nm；
沿所述交替层叠设置的方向，所述诱捕垒的厚度依次增加或减小；
所述诱捕阱的材料为AlyInzGa1-y-zN，其中，0zy0.5；
沿所述交替层叠设置的方向，所述z的取值依次减小，y的取值依次增大。
2.如权利要求1所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述诱捕垒和诱捕阱的交替层叠设置的周期数为1~10。
3.如权利要求1所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述诱捕阱的厚度为1~5nm。
4.如权利要求1所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述量子阱发光层包括依次交替层叠设置的AlGaN量子垒层和AlGaN量子阱层；
所述AlGaN量子垒层和AlGaN量子阱层交替层叠设置的周期数为1~5。
5.如权利要求4所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述AlGaN量子垒层中的Al含量小于所述诱捕垒中的Al含量。
6.如权利要求4或5所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述AlGaN量子垒层中的Al含量大于所述AlGaN量子阱层中的Al含量。
7.权利要求1~6任一项所述的深紫外LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底表面依次生长AlN缓冲层、非掺杂的AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱结构层、P型电子阻挡层、P型AlGaN空穴注入层和P型GaN覆盖层，得到所述深紫外LED外延结构。
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