[发明专利]一种电源转换模块的QFN封装方法

说明书

本发明涉及QFN封装技术领域，且公开了一种电源转换模块的QFN封装方法，解决了现有QFN封装结构内部导热效果不好以及与PCB板连接容易造成短路以及连接不稳定的问题，其包括电源转换模块PCB板和若干QFN封装体，QFN封装体由封装底座、芯片座、芯片和塑封体构成，封装底座顶端侧边设有若干第一引脚，芯片顶端侧边设有若干第二引脚，第一引脚与第二引脚之间通过金属导线连接；通过该QFN封装结构的电源转换模块能够提高内部导热效果，使得芯片上的热量快速散出，并能够提高内部引脚之间连接稳定性以及QFN封装体与电源转换模块PCB板连接的稳定性，同时能够避免出现爬锡现象，避免造成短路。

技术领域

本发明属于QFN封装技术领域，具体为一种电源转换模块的QFN封装方法。

背景技术

QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形。由于QFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸥翼状引线，内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，所以，它能提供卓越的电性能。此外，它还通过外露的引线框架焊盘提供了出色的散热性能，该焊盘具有直接散热的通道，用于释放封装内的热量。通常，将散热焊盘直接焊接在电路板上，并且PCB中的散热过孔有助于将多余的功耗扩散到铜接地板中，从而吸收多余的热量。

但是目前的QFN封装结构，其内部芯片引脚与封装底座上的引脚之间仍然是通过丝状引线进行连接，其连接处为单焊点，容易出现接触不良的情况，而且热传导效果不好，不能够将芯片上的热量快速传递至封装底座上的引脚，从而影响散热性能；另外，目前的QFN封装结构在与PCB板连接时，若锡量过多可能会出现爬锡现象，从而容易造成短路，若锡量过少，则会导致连接稳定性不好，连接强度不高的缺点，容易造成连接处的脱落。

发明内容

针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本发明提供一种电源转换模块的QFN封装方法，有效的解决了现有QFN封装结构内部导热效果不好以及与PCB板连接容易造成短路以及连接不稳定的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种电源转换模块的QFN封装方法，包括电源转换模块PCB板和若干QFN封装体，所述QFN封装体连接于电源转换模块PCB板的顶端，QFN封装体由封装底座、芯片座、芯片和塑封体构成，芯片座连接于封装底座的顶端，芯片连接于芯片座的顶端，塑封体连接于封装底座和芯片的顶端，封装底座顶端的侧边设置有若干穿插于封装底座的第一引脚，芯片顶端的侧边设置有若干与第一引脚相匹配的第二引脚，第一引脚与第二引脚之间通过金属导线连接。

优选的，所述QFN封装体通过焊锡连接于电源转换模块PCB板的顶端，电源转换模块PCB板的顶端设置有若干与第一引脚相匹配的印刷引脚。

优选的，所述第一引脚由穿插段和裸露段构成，穿插段固定连接于裸露段的顶端，穿插段穿插于封装底座，裸露段位于封装底座侧边的底端。

优选的，所述裸露段的底端开设有焊锡填充槽，焊锡填充槽为弧形结构，焊锡填充槽的底面设置有蚀刻层，蚀刻层为不规则蚀刻面结构。

优选的，所述封装底座的顶端开设有与芯片座相匹配的放置凹槽一，芯片座的顶端开设有与芯片相匹配的放置凹槽二，封装底座顶端的四角固定设置有与塑封体相匹配的T型限位连接支臂。

优选的，所述第一引脚的顶端开设有与金属导线相匹配的连接卡槽一，第二引脚的顶端开设有与金属导线相匹配的连接卡槽二。

优选的，所述金属导线由第一连接触片、第二连接触片和连接段构成，第一连接触片固定连接于连接段的底端并与连接卡槽一相匹配，第二连接触片固定连接于连接段的顶端并与连接卡槽二相匹配，第一连接触片、第二连接触片和连接段均为铜材质。

优选的，所述电源转换模块的QFN封装方法，包括以下步骤：

步骤一，在第一引脚的底端开设焊锡填充槽，并在焊锡填充槽的底端进行蚀刻形成不规则蚀刻面结构的蚀刻层；