[发明专利]一种半导体生产设备及其控制方法及装置

权利要求书

1.一种半导体生产设备，包括反应腔室，其特征在于，所述设备还包括：与所述反应腔室相连的气体输入装置，以及与所述反应腔室相连的气体输出装置；其中，所述气体输入装置用于向所述反应腔室输入气体；所述气体输出装置用于将所述反应腔室内的气体排出；

所述设备还包括：

半导体生产控制装置，用于在多个半导体产品的加工间隙，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出；

其中，所述反应腔室内设置有加热装置；

所述半导体生产控制装置在控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出之前，先控制所述加热装置启动加热；

当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，所述半导体生产控制装置控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述半导体生产控制装置，在所述反应腔室处于空闲态时，控制所述加热装置启动加热，并且，当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述半导体生产控制装置，按照预设的气体流量，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体。

4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述气体输入装置包括：与所述反应腔室相连的入气管道；

所述气体输出装置包括：与所述反应腔室相连的出气管道，以及与所述出气管道相连的抽气泵。

5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述反应腔室内包括加热装置、用于搭载半导体产品的空心圆环、石英盖以及受所述石英盖保护的反射板；

所述入气管道设置在所述加热装置、所述圆环、所述石英盖、所述反射板的同一侧，所述出气管道设置在与所述加热装置、所述圆环、所述石英盖、所述反射板相对的另一侧。

6.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述入气管道的横截面为蜂窝状；所述反应腔室内设置有与用于与所述入气管道相连接的蜂窝气孔结构；

和/或，所述出气管道的横截面为蜂窝状；所述反应腔室内设置有与用于与所述出气管道相连接的蜂窝气孔结构。

7.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述抽气泵为功率大于预设值的抽气泵。

8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述气体包括具有氧化作用的气体。

9.一种权利要求1-8任一项所述的半导体生产设备的生产控制方法，其特征在于，所述方法包括：

在多个半导体产品的加工间隙，控制所述的半导体生产设备中的所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述的半导体生产设备中的所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出；

其中，在控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出之前，先控制所述加热装置启动加热；当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。

10.根据权利要求9所述的生产控制方法，其特征在于，在确定所述反应腔室处于空闲态时，控制所述加热装置启动加热，并且，当所述反应腔室达到预设温度，并持续预设时长时，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体，以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。

11.根据权利要求9所述的生产控制方法，其特征在于，按照预设的气体流量，控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体。