[发明专利]一种基于岩心的裂缝发育及保存参数指标的测定方法在审
申请号: | 202211280380.X | 申请日: | 2022-10-19 |
公开(公告)号: | CN115524745A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 李智武;李金玺;公子龙;叶玥豪;童馗;刘傲东 | 申请(专利权)人: | 成都理工大学 |
主分类号: | G01V1/30 | 分类号: | G01V1/30;G01V1/28 |
代理公司: | 云南盛恒知识产权代理有限公司 53224 | 代理人: | 赵晓琴 |
地址: | 610051 *** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 岩心 裂缝 发育 保存 参数 指标 测定 方法 | ||
本发明公开了一种基于岩心的裂缝发育及保存参数指标的测定方法,包括:裂缝发育指数测定和裂缝保存指数测定;所述裂缝发育指数测定方法为:裂缝发育指数I=长度L×宽度W×线密度D;裂缝保存指数=裂缝种类指数S+充填程度指数F+裂缝角度指数A‑裂缝发育指数I;本发明将实测岩心裂缝参数与实际刻画精度相结合,可连续表征裂缝在垂向上的分布情况和集中程度,能更好地满足油气勘探开发、特别是裂缝型和非常规油气勘探开发的实际需求。
技术领域
本发明属于石油、天然气储存及运输技术领域,具体涉及一种基于岩心的裂缝发育及保存参数指标的测定方法。
背景技术
裂缝作为石油和天然气的一种重要储存空间和运输通道,无论是在流体储集还是在油气运移方面都起着至关主要的作用。因此,裂缝评价、尤其是在孔隙度和渗透率都极低的非常规油气储层中的裂缝评价,成为优选油气勘探有利区以及制定下一步开发方案的一项重要工作。裂缝的有效、精确表征是裂缝评价的必要前提,目前裂缝测定以主观描述为主或未形成一套定量化表征,只有建立起一套可方便实施、可定量描述、可纵横对比的裂缝表征方案,才能为后期的储层评价与生产决策提供正确指导。
现有的岩心裂缝表征方法中,最常用的是利用裂缝线密度(即单位岩心长度内裂缝发育的总条数)对裂缝发育程度进行描述。但是,线密度描述方法具有明显的劣势:其一,裂缝线密度仅考虑了裂缝的条数而未考虑裂缝倾角、裂缝性质等重要参数对裂缝表征的影响;其二,裂缝线密度的单位统计长度通常为某地层厚度,长度较长,从而导致计算精度较低。因此,在岩心观测中采用线密度对裂缝进行表征,不能满足油气勘探高精度定量描述的实际需要。裂缝面密度(即单位岩心面积内裂缝发育的总长度)描述方法在一定程度上提高了表征精度,但是,裂缝面密度测量通常是基于单个岩心进行裂缝统计,测量较为繁琐,且受岩心长度这一非地质因素影响较大,计算精度偏低,垂向上也不具备连续性,纵、横向可对比性较差。因此,有必要形成一套方便岩心实测、测量精度统一、纵向可连续表征、横向可量化对比的岩心裂缝表征新方法,以满足油气前期勘探的实际需求。
现有页岩裂缝发育系数计算公式通过一系列岩石物理性质来计算出发育系数,需要进行大量实验来测得各项数据再将数据整合到公式中计算,过程较为繁琐并且忽略了一些对于单井裂缝发育系数有影响的数值。
缺少例如裂缝发育数量对比岩心长度的值(裂缝线密度),每口井的裂缝发育系数应当与该井裂缝发育状况紧密联系,发育状况不同且岩心长度不同有可能得到相同的系数。
裂缝发育的不同角度以及充填程度也在一定程度上影响了裂缝对于页岩气的保存,现有技术未提及。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种基于岩心的裂缝发育及保存参数指标的测定方法,基于实测岩心裂缝长度、开度、充填程度及充填物、倾角及岩心直径等关键参数,确定测量精度,设计基于单位岩心长度和相关参数的裂缝发育程度计算方法,进而对裂缝发育程度以及保存程度进行定量表征,为裂缝定量预测提供可靠的数据资料保证。
为了达到上述技术目的,本发明是通过以下技术方案实现的:
一种基于岩心的裂缝发育及保存参数指标的测定方法,包括:裂缝发育指数测定和裂缝保存指数测定;
所述裂缝发育指数测定方法为:
采用长度L、宽度W、线密度D三个数值来定量岩心的裂缝发育程度,所述裂缝发育指数I用下式计算:
裂缝发育指数I=L×W×D
裂缝发育指数小于0.05的岩心裂缝发育较差,指数在0.05~0.25之间的岩心裂缝发育一般,指数在0.25~0.5之间的岩心裂缝较为发育,指数大于0.5的岩心裂缝十分发育;
所述裂缝保存指数测定方法为:
采用四个数值来定量岩心的裂缝保存程度,分别是裂缝种类、充填程度、裂缝角度及裂缝发育指数;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都理工大学,未经成都理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211280380.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种SM3密码杂凑算法的加速方法及指令集处理器
- 下一篇:一种IC片喷涂装置