[发明专利]一种柔性碳膜掩膜在审
申请号: | 202211280502.5 | 申请日: | 2022-10-19 |
公开(公告)号: | CN115480445A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 刘成元;李维维 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F1/62 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 尹婷婷 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 碳膜掩膜 | ||
1.一种柔性碳膜掩膜,其特征在于,所述柔性碳膜掩膜为石墨烯、石墨、碳纳米管、碳纳米材料、金属纳米材料、金属或非金属氧化物纳米材料、有机前驱体碳化膜、碳纤维中的任意一种或多种组成的薄膜,且所述薄膜上带有掩膜图案。
2.根据权利要求1所述的柔性碳膜掩膜,其特征在于,所述柔性碳膜掩膜的厚度为1nm-100μm。
3.根据权利要求1所述的柔性碳膜掩膜,其特征在于,所述有机前驱体碳化膜为聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、聚苯并咪唑、聚氨酯、聚氯乙烯、聚丙烯腈、聚苯撑乙烯、沥青、纤维素中的任意一种或多种形成的薄膜。
4.根据权利要求1所述的柔性碳膜掩膜,其特征在于,所述柔性碳膜掩膜的成膜方式包括旋涂、喷涂、刮涂、滴涂、浸涂、印刷、静电纺丝、打印、气相沉积中的任意一种或多种。
5.根据权利要求1所述的柔性碳膜掩膜,其特征在于,掩模图案通过在前驱体形成过程中引入、前驱体成膜后加工引入、碳膜形成过程中引入或柔性碳膜形成后加工引入。
6.根据权利要求1或5所述的柔性碳膜掩膜,其特征在于,掩膜图案的形成方法包括模板法、压印法、自组装法、印刷、打印、激光刻蚀、电子束刻蚀、等离子体刻蚀中的任意一种或多种。
7.根据权利要求5所述的柔性碳膜掩膜,其特征在于,掩模图案如果在前驱体形成过程中引入,可采用打印、印刷或自组织退火的方式。
8.根据权利要求1所述的柔性碳膜掩膜,其特征在于,掩模图案如果在碳膜形成过程中引入,可采用激光直写碳化的方式。
9.根据权利要求1所述的柔性碳膜掩膜,其特征在于,掩模图案如果在前驱体成膜后加工引入或柔性碳膜形成后加工引入,可采用离子束刻蚀的方式。
10.根据权利要求1所述的柔性碳膜掩膜,其特征在于,所述柔性碳膜掩膜为聚丙烯腈碳纤维柔性掩膜或碳纤维/玻璃纤维复合柔性掩模。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备