[发明专利]用于高功率密度应用的功率转换器在审
申请号: | 202211282597.4 | 申请日: | 2022-10-19 |
公开(公告)号: | CN116053222A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 余子威;陈霖;牛志强 | 申请(专利权)人: | 万国半导体国际有限合伙公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L25/07;H02M1/44;H05K1/18 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 董科 |
地址: | 加拿大安大略省多伦多*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 功率密度 应用 功率 转换器 | ||
1.一种高功率密度功率转换器,包括:
一个印刷电路板,包括多个相互隔绝的接触垫,多个接触垫含有一个高端漏极垫和一个低端源极垫;
一个高端场效应晶体管,安装在印刷电路板上,所述的高端场效应晶体管包括一个高端漏极引线,导电连接到印刷电路板的高端漏极垫;以及
一个顶部漏极电极,导电连接到高端漏极引线;
一个低端场效应晶体管,安装在印刷电路板上,所述的低端场效应晶体管包括一个低端漏极引线,导电连接到印刷电路板的低端源极垫;以及
一个顶部漏极电极,导电连接到低端源极引线;
一个散热器,放置在高端场效应晶体管和低端场效应晶体管上方;
一个第一热界面材料层,其将所述高端场效应晶体管的顶部漏极电极耦合到所述散热器;以及
一个第二热界面材料层,其将所述高端场效应晶体管的顶部漏极电极耦合到所述散热器。
2.权利要求1所述的高功率密度功率转换器,其中印刷电路板的多个接触垫还包括一个开关节点垫;
其中高端场效应晶体管还包括一个高端源极引线,连接到印刷电路板的开关节点上;并且
其中低端场效应晶体管还包括一个低端漏极引线,连接到开关节点垫上。
3.权利要求2所述的高功率密度功率转换器,其中印刷电路板的多个接触垫还包括一个高端栅极垫和一个低端栅极垫;
其中高端场效应晶体管还包括一个高端栅极引线,连接到印刷电路板的高端栅极垫上;并且
其中低端场效应晶体管还包括一个低端栅极引线,连接到印刷电路板的低端栅极垫上。
4.权利要求2所述的高功率密度功率转换器,其中高端场效应晶体管和低端场效应晶体管安装在印刷电路板的顶面上;
其中高端场效应晶体管夹在印刷电路板和散热器之间;并且
其中高端场效应晶体管夹在印刷电路板和散热器之间。
5.权利要求4所述的高功率密度功率转换器,其中散热器包括一个面向印刷电路板顶面的底面;并且
其中散热器的底面平行于印刷电路板的顶面。
6.权利要求4所述的高功率密度功率转换器,其中第一热界面材料层的厚度与第二热界面材料层的厚度基本相等。
7.权利要求4所述的高功率密度功率转换器,其中高端场效应晶体管还包括一个具有第一厚度的第一模制封装;并且
其中低端场效应晶体管还包括一个具有第二厚度的第二模制封装。
8.权利要求7所述的高功率密度功率转换器,其中第一厚度与第二厚度相同。
9.权利要求7所述的高功率密度功率转换器,其中低端场效应晶体管的顶部源极电极具有L形,从第二模制封装的顶面裸露出来。
10.权利要求7所述的高功率密度功率转换器,其中低端场效应晶体管的顶部源极电极区域从所述第二模制封装的顶部表面暴露的面积,占所述低端场效应晶体管封装的顶表面积的50%至90%的范围内。
11.权利要求7所述的高功率密度功率转换器,其中低端场效应晶体管的顶部源极电极区域从所述第一模制封装的顶部表面暴露的面积,占所述低端场效应晶体管封装的顶表面积的60%至70%的范围内。
12.权利要求1所述的高功率密度功率转换器,其中高端场效应晶体管的顶部漏极电极连接到一个固定的总线电压;并且
其中低端场效应晶体管的顶部源极电极接地。
13.权利要求1所述的高功率密度功率转换器,其中第一热界面材料的热导率和第二热界面材料的热导率,大于15000瓦/米开尔文。
14.权利要求13所述的高功率密度功率转换器,其中所述第一热界面材料和所述第二热界面材料选自陶瓷填充硅橡胶材料和热解石墨材料。
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