[发明专利]凹坑型PSS的重复利用方法、复合衬底及LED外延片

权利要求书

1.一种凹坑型PSS的重复利用方法，其特征在于，包括：

提供图形化衬底，所述图形化衬底包括基板以及形成在所述基板表面上的多个凸起微结构和多个凹坑，所述凹坑围绕所述凸起微结构；

在所述图形化衬底上形成一层异质层；

图案化所述异质层，形成多个异质图案结构，所述异质图案结构一一对应覆盖所述凸起微结构以及与所述凸起微结构相邻的所述凹坑。

2.根据权利要求1所述的重复利用方法，其特征在于，在所述图形化衬底上形成一层异质层，包括：

采用化学气相沉积工艺，以小于10nm/min的沉积速率和小于1.2mT的腔室压力，沉积所述异质层。

3.根据权利要求1所述的重复利用方法，其特征在于，在所述图形化衬底上形成一层异质层之后，还包括：

涂覆光刻胶，在所述异质层上涂覆形成光刻胶层；

图案化所述异质层，形成多个异质图案结构，所述异质图案结构一一对应覆盖所述凸起微结构以及与所述凸起微结构相邻的所述凹坑，包括：

对所述光刻胶层进行曝光显影，形成多个光刻胶胶柱，所述光刻胶胶柱在所述基板所在平面的垂直投影，一一对应覆盖所述凸起微结构以及与所述凸起微结构相邻的所述凹坑在所述基板所在平面的垂直投影；

以所述光刻胶胶柱为掩膜，对所述异质层进行刻蚀，直至所述凸起微结构之间的区域裸露出所述基板表面。

4.根据权利要求3所述的重复利用方法，其特征在于，以所述光刻胶胶柱为掩膜，对所述异质层进行刻蚀，直至所述凸起微结构之间的区域裸露出所述基板表面之后，还包括：

采用有机清除残余光刻胶柱。

5.根据权利要求1所述的重复利用方法，其特征在于，提供图形化衬底之前，包括：

对图形化衬底进行检测，筛选出所述凹坑的宽度大于35nm，深度大于15nm的图形化衬底。

6.一种图形化复合衬底，其特征在于，包括：

基板，所述基板表面形成有多个凸起微结构和多个凹坑，所述凹坑围绕所述凸起微结构；

异质图案结构，所述异质图案结构一一对应覆盖所述凸起微结构以及与所述凸起微结构相邻的所述凹坑。

7.根据权利要求6所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述异质图案结构包括侧壁部和平面部，所述侧壁部覆盖于所述凸起微结构的侧壁上，所述平面部覆盖于所述凹坑以及所述基板表面中位于所述凸起微结构之间的至少部分区域；

所述侧壁部的厚度大于所述平面部在所述基板表面上的高度。

8.根据权利要求7所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述侧壁部的厚度范围为50～300nm，所述平面部在所述基板表面上的高度范围为20～100nm。

9.根据权利要求6所述的图形化复合衬底，其特征在于，相邻的所述异质图案结构的间距为W1与相邻的所述凹坑的间距为W2满足：W1：W2＞50％。

10.根据权利要求6所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述凸起微结构的底宽范围为1.5～4.5μm，高度范围为1.0～3.0μm。

11.根据权利要求6所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述凸起微结构具有侧壁弧度，且侧壁凸起高度范围为80～200nm。

12.根据权利要求6所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述凸起微结构在所述基板表面的占空比大于80％。

13.一种LED外延片，其特征在于，包括如权利要求6-12任一项所述的图形化复合衬底。