[发明专利]一种体声波谐振器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211285984.3 申请日: 2022-10-20
公开(公告)号: CN115622526A 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 万晨庚 申请(专利权)人: 北京芯溪半导体科技有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H3/02
代理公司: 北京清辰科创知识产权代理事务所(普通合伙) 16133 代理人: 彭一波
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 声波 谐振器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种体声波谐振器,其特征在于,包括:

衬底(10),所述衬底(10)包括空腔(19);

底电极(12),形成在所述衬底(10)上方,并覆盖所述空腔(19);

压电功能层(13),形成在所述底电极(12)上方;

框架结构,形成在所述压电功能层(13)上方;以及

顶电极(16),形成在所述框架结构上方,

其中,所述框架结构的厚度是非均匀的。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,在所述压电功能层(13)和所述框架结构之间还包括空气环结构(11),所述空气环结构在所述体声波谐振器的连接边为桥梁结构,并且在所述体声波谐振器的非连接边为悬臂结构。

3.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述框架结构在所述体声波谐振器的连接边的厚度比所述框架结构在所述体声波谐振器的非连接边的厚度小。

4.根据权利要求3所述的体声波谐振器,其特征在于,所述框架结构在所述体声波谐振器的连接边为单层厚度框架结构,并且所述框架结构在所述体声波谐振器的非连接边为双层厚度框架结构。

5.根据权利要求4所述的体声波谐振器,其特征在于,所述双层厚度框架结构包括叠层的第一框架结构(14)和第二框架结构(15),其中所述第一框架结构(14)为靠近所述压电功能层(13)的框架结构,并且第二框架结构(15)为远离所述压电功能层(13)的框架结构。

6.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述框架结构在所述非连接边与所述压电功能层(13)接触的有效长度和所述框架结构在所述连接边与所述压电功能层(13)接触的有效长度不同;或者

所述框架结构在所述非连接边与所述压电功能层(13)接触的有效长度和所述框架结构在所述连接边与所述压电功能层(13)接触的有效长度相同。

7.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述框架结构在所述非连接边与所述压电功能层(13)接触的有效长度和所述框架结构在所述连接边与所述压电功能层(13)接触的有效长度的范围均为0.1μm-10μm。

8.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述体声波谐振器为凸多边形结构,所述凸多边形结构的边和边的交界点处的框架结构的厚度比其他部分的框架结构的厚度小。

9.根据权利要求8所述的体声波谐振器,其特征在于,所述凸多边形结构的边和边的交界点处设置为单层厚度框架结构。

10.根据权利要求8所述的体声波谐振器,其特征在于,所述体声波谐振器为凸五边形结构。

11.根据权利要求8所述的体声波谐振器,其特征在于,所述凸多边形结构的边和边的交界点处的单层厚度框架结构的宽度大于0.1μm。

12.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述体声波谐振器还包括上凸结构(18),设置在所述顶电极(16)上方。

13.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述体声波谐振器还包括保护层(17),设置在所述顶电极(16)和所述上凸结构(18)上方。

14.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述框架结构的材料选自钼、钌、金、铝、镁、钨、铜,钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金。

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