[发明专利]一种氮化镓半导体材料及其化学刻蚀方法

权利要求书

1.一种氮化镓半导体材料化学刻蚀方法，其特征是：包括以下步骤：（1）、将氮化镓材料进行ICP-RIE刻蚀；（2）、在2wt%-30wt%的四甲基氢氧化铵溶液中加入0.01wt%的聚乙二醇辛基苯基醚，配成刻蚀液；（3）、将经过ICP-RIE刻蚀的氮化镓材料放入刻蚀液中加热至30℃-100℃进行化学刻蚀，加热时间是30min；（4）、在进行化学刻蚀的同时采用紫外光以30mW/cm²光强照射氮化镓材料和刻蚀液，增加刻蚀速度；（5）、取出氮化镓材料，用纯水冲洗并甩干。

2.如权利要求1所述的一种氮化镓半导体材料化学刻蚀方法，其特征是：在步骤（1）前用清洗液对氮化镓材料进行表面清洗。

3.如权利要求2所述的一种氮化镓半导体材料化学刻蚀方法，其特征是：所述清洗液是去离子水、酒精、异丙醇、丙酮、浓硫酸+双氧水+水、氨水+双氧水+水、盐酸+水、盐酸+双氧水+水、氢氟酸、氢氟酸+氟化铵、柠檬水+双氧水+水、硝酸中的任意一种。

4.如权利要求1所述的一种氮化镓半导体材料化学刻蚀方法，其特征是：所述刻蚀液还包括5wt%-30wt%的异丙醇。

5.如权利要求1或4所述的一种氮化镓半导体材料化学刻蚀方法，其特征是：所述刻蚀液还包括十二烷基硫酸钠。

6.氮化镓半导体材料，其特征是：由权利要求1-5任一所述的氮化镓半导体材料化学刻蚀方法制备而成。