[发明专利]一种层叠封装方法在审
申请号: | 202211289993.X | 申请日: | 2022-10-20 |
公开(公告)号: | CN115841961A | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 刘在福;曾昭孔;郭瑞亮 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 张庆玲 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 层叠 封装 方法 | ||
1.一种层叠封装方法,其特征在于,包括:
提供第一基板,所述第一基板包括相背设置的第一正面和第一背面;
在所述第一正面一侧形成多个金属柱,所述金属柱与所述第一基板电连接;
至少在所述金属柱远离所述第一基板一侧顶面形成焊料层;其中,所述焊料层均匀覆盖所述金属柱远离所述第一基板一侧顶面,且所述焊料层的高度在预设范围内;
在所述第一基板的所述第一正面一侧形成第一塑封层,所述第一塑封层覆盖所述金属柱,至少部分所述焊料层从所述第一塑封层中露出;
在所述金属柱远离所述第一基板一侧设置第二基板,所述金属柱通过所述焊料层与所述第二基板电连接;
利用回流的方式使得所述第二基板通过所述焊料层与所述金属柱固定连接。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少在所述金属柱远离所述第一基板一侧顶面形成焊料层的步骤,包括:
向所述金属柱远离所述第一基板一侧顶面涂覆焊料,利用激光将所述焊料融化成液体形态,液体形态的所述焊料固化形成与所述金属柱固定连接的所述焊料层。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述焊料层覆盖所述金属柱的顶面以及侧面,所述至少在所述金属柱远离所述第一基板一侧顶面形成焊料层的步骤,包括:
向所述金属柱远离所述第一基板一侧顶面涂覆焊料;
利用激光将所述焊料融化,部分融化后的所述焊料沿所述金属柱的高度方向从所述金属柱的顶面流动至所述金属柱的侧面,融化后的所述焊料固化以形成所述焊料层。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用回流的方式使得所述第二基板通过所述焊料层与所述金属柱固定连接的步骤,包括:
将至少部分所述焊料层融化,通过融化后的焊料将所述第二基板与所述金属柱固定连接;其中,基于所述焊料层的高度在预设范围内,相邻所述金属柱上的所述焊料层融化后形成的焊料之间存在间隙。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述第一正面一侧形成多个金属柱的步骤,包括:
在所述第一基板的所述第一正面形成绝缘层;
利用曝光显影的方式在所述绝缘层上形成多个开口;
利用电镀的方式在所述开口内形成多个所述金属柱。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述第一正面一侧形成多个金属柱的步骤之前,包括:
提供第一芯片,所述第一芯片包括相背设置的第一功能面和第一非功能面,所述第一功能面上设置有多个第一焊盘;
在所述第一功能面上形成多个导电凸点,所述导电凸点与所述第一焊盘一一对应且电连接;
将所述第一芯片的所述第一功能面朝向所述第一基板,所述第一焊盘通过所述导电凸点与所述第一基板电连接;其中,多个所述金属柱位于所述第一芯片的外围。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,包括:
所述金属柱与所述焊料层的高度之和大于所述第一芯片与所述导电凸点的高度之和。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述在所述第一基板的所述第一正面一侧形成第一塑封层的步骤,包括:
在所述第一基板的所述第一正面一侧形成第一塑封层,所述第一塑封层覆盖所述金属柱、所述焊料层、所述第一芯片的侧面以及所述第一芯片的第一非功能面一侧;
研磨所述第一塑封层远离所述第一基板一侧,以使得至少部分所述焊料层从所述第一塑封层中露出。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用回流的方式使得所述第二基板通过所述焊料层与所述金属柱固定连接的步骤之后,包括:
提供第二芯片,所述第二芯片包括相背设置的第二功能面和第二非功能面,所述第二功能面上设置有多个第二焊盘;
将所述第二芯片设置在所述第二基板远离所述第一基板一侧,所述第二芯片的第二焊盘与所述第二基板电连接;
在所述第二基板远离所述第一基板一侧形成第二塑封层,所述第二塑封层覆盖所述第二芯片。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用回流的方式使得所述第二基板通过所述焊料层与所述金属柱固定连接的步骤之后,包括:
在所述第一基板的所述第一背面一侧形成多个焊球,所述焊球与所述第一基板电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造