[发明专利]空气隙结构、体声波谐振器、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种空气隙结构的制造方法，该制造方法包括：

形成第一结构、第二结构以及收缩材料，所述第二结构形成在所述第一结构上，所述收缩材料填充在所述第一结构和所述第二结构之间、且所述收缩材料在特定条件下具有收缩性；

对所述收缩材料进行与所述特定条件对应的特定条件处理使其体积收缩，以在所述收缩材料和所述第二结构之间形成释放空间；

利用腐蚀溶液通过所述释放空间将所述收缩材料去除，以在所述第二结构和所述第一结构之间形成空气隙。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中：

所述特定条件是高温，所述特定条件处理是高温处理；或

所述特定条件是低温，所述特定条件处理是低温处理。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中：

针对于所述特定条件是高温、所述特定条件处理是高温处理的情况，所述收缩材料是多孔疏松材料或含有挥发性物质的材料。

4.根据权利要求2或3所述的制造方法，其中，所述高温处理是管式退火、尖峰退火、激光退火或闪光灯退火。

5.一种空气隙结构，该空气隙结构采用如权利要求1至4中任一项所述的制造方法形成。

6.一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括如权利要求1至4中任一项所述的空气隙结构的形成方法。

7.一种半导体器件，该半导体器件包括如权利要求5所述的空气隙结构。

8.一种体声波谐振器的制造方法，该制造方法包括：

形成衬底结构，该衬底结构包括形成有凹槽的衬底本体以及填充在该凹槽内的第一收缩材料，或该衬底结构包括衬底本体以及沉积在该衬底本体表面与待形成第一空气隙相对应区域内的第一收缩材料，或该衬底结构包括衬底本体、沉积在该衬底本体表面与待形成第一空气隙相对应区域内的第一收缩材料、以及形成在该衬底本体表面环绕该相对应区域的支撑部；其中，所述第一收缩材料在特定条件下具有收缩性；

在所述衬底结构上形成叠层结构，该叠层结构从下至上至少包括下电极、压电层以及上电极；

刻蚀所述叠层结构以形成释放孔；

对所述第一收缩材料进行与所述特定条件对应的特定条件处理使其体积收缩，以在所述第一收缩材料和所述叠层结构之间形成第一释放空间；

利用腐蚀溶液通过所述释放孔以及所述第一释放空间将所述第一收缩材料移除，以在所述衬底结构与所述叠层结构之间形成第一空气隙，该第一空气隙与所述下电极、所述压电层以及所述上电极在器件厚度方向上形成有重叠区域。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中：

所述特定条件处理还可以在所述叠层结构中任意一层形成后进行。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述制造方法还包括：

形成第二收缩材料以及连接部，其中，所述连接部与所述上电极连接，所述第二收缩材料填充在所述连接部与所述压电层之间、且所述第二收缩材料在特定条件下具有收缩性；

对所述第二收缩材料进行特定条件处理使其体积收缩，以在所述第二收缩材料和所述连接部之间形成第二释放空间；以及利用腐蚀溶液通过所述第二释放空间将所述第二收缩材料移除，以在所述压电层和所述连接部之间形成第二空气隙。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的制造方法，其中：

所述特定条件是高温，所述特定条件处理是高温处理；或

所述特定条件是低温，所述特定条件处理是低温处理。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其中：

针对于所述特定条件是高温、所述特定条件处理是高温处理的情况，所述第一收缩材料和所述第二收缩材料均是多孔疏松材料或含有挥发性物质的材料。