[发明专利]有机发光显示装置在审
申请号: | 202211295901.9 | 申请日: | 2022-10-21 |
公开(公告)号: | CN116193916A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 尹珉圣;金炅秀 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H10K59/121 | 分类号: | H10K59/121;H10K59/126 |
代理公司: | 北京市集佳律师事务所 16095 | 代理人: | 唐明英 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
包括第一区域和第二区域的基板;
设置在所述第一区域和所述第二区域中的至少一者中的第一薄膜晶体管TFT;
设置在所述第二区域中的第二TFT,所述第二TFT包括第一氧化物半导体图案;以及
连接至所述第二TFT的有机发光器件,
其中,所述第二TFT包括设置在第二栅电极与所述第一氧化物半导体图案之间的屏蔽图案,并且
其中,所述屏蔽图案包括透射区域和屏蔽区域。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述基板包括显示区域和围绕所述显示区域形成的非显示区域,
其中,所述第一区域被设置在所述显示区域和所述非显示区域中的至少一者中,并且
其中,所述第二区域被设置在所述显示区域中。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一TFT包括第一多晶半导体图案。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,还包括设置在所述显示区中的第三TFT,所述第三TFT包括第二氧化物半导体图案,
其中,所述第二TFT是被配置成驱动像素的驱动TFT,并且
其中,所述第三TFT是被配置成向所述第二TFT施加数据信号的开关TFT。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述驱动TFT包括在所述第一氧化物半导体图案下方与所述第一氧化物半导体图案交叠的第一光阻挡图案。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述屏蔽图案是导体。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其中,所述屏蔽图案是掺杂有杂质以具有电导率的硅层。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其中,所述硅层选自多晶半导体材料或氧化物半导体材料。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述屏蔽区域均匀地设置在所述屏蔽图案的中心和边缘处。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,在所述屏蔽图案的边缘处比在所述屏蔽图案的中心处更密集地设置所述屏蔽区域。
11.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,所述驱动TFT包括设置在所述第一氧化物半导体图案上的源电极和漏电极,并且所述源电极连接至所述第一光阻挡图案。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置,其中,在所述第一光阻挡图案与所述第一氧化物半导体图案之间插入包括硅氮化物的无机层。
13.根据权利要求11所述的有机发光显示装置,其中,所述第一光阻挡图案是至少一个包括钛的金属层。
14.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,所述有机发光显示装置还包括覆盖所述第一光阻挡图案的缓冲层,并且所述缓冲层由硅氮化物制成。
15.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,所述开关TFT包括在所述第二氧化物半导体图案下方与所述第二氧化物半导体图案交叠的第二光阻挡图案。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置,其中,所述第二氧化物半导体图案与所述第二光阻挡图案之间的距离大于所述第一氧化物半导体图案与所述第一光阻挡图案之间的距离。
17.一种有机发光显示装置,包括:
基板,所述基板包括显示区域和围绕所述显示区域形成的非显示区域;以及
设置在所述显示区域中的驱动薄膜晶体管TFT,
其中,所述驱动TFT包括:
第一氧化物半导体图案;
设置在所述第一氧化物半导体图案上方且与所述第一氧化物半导体图案交叠的第二栅电极;以及
设置在所述第二栅电极与所述第一氧化物半导体图案之间的屏蔽图案。
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