[发明专利]一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法

权利要求书

1.一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

先将Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板的表面打磨平整并清洗干净，然后将纯Zr板或者纯Zr箔分别固定在Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板的两个表面，再在惰性气体保护气氛下进行高温热处理，在高温热处理的过程中利用Zr的吸收作用使Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板中的杂质原子扩散Zr板或Zr箔中并与Zr反应形成Zr-(CNO)相，从而降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板中游离态杂质元素的含量，得到表面含有Zr包覆层的均匀态Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板；

或者，除去含有Zr包覆层的均匀态Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板表面的Zr包覆层，则得到均匀态Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板。

2.根据权利要求1所述的一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法，其特征在于：采用热变形的方式将纯Zr板分别固定在Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板的两个表面，具体操作如下：将纯Zr板、Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板以及纯Zr板形成的“三明治结构”置于模具中并密封，之后进行热轧制使纯Zr板与Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板紧密接触；

采用金属板夹持的方式将纯Zr箔分别固定在Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板的两个表面，具体操作如下：在Zr箔、Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板以及Zr箔形成的“三明治结构”的两侧分别放置一块金属板，通过螺栓螺母将两个金属板固定，从而使Zr箔与Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板紧密接触。

3.根据权利要求2所述的一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法，其特征在于：采用热变形的方式将纯Zr板分别固定在Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板的两个表面时，热轧制温度为1100～1300℃，每道次变形量为10～30％，总变形量为50～60％。

4.根据权利要求2所述的一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法，其特征在于：采用金属板夹持的方式将纯Zr箔分别固定在Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板的两个表面时，金属板选用高纯Mo板、Nb板或Ta板。

5.根据权利要求2或3所述的一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法，其特征在于：采用热变形的方式将纯Zr板分别固定在Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板的两个表面时，Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板的厚度为8～30mm，纯Zr板的厚度为2～5mm。

6.根据权利要求2或4所述的一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法，其特征在于：采用金属板夹持的方式将纯Zr箔分别固定在Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板的两个表面时，Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板的厚度为1～3mm，纯Zr箔的厚度为0.03～0.15mm。

7.根据权利要求1至4任一项所述的一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法，其特征在于：高温热处理的温度为1200～1500℃，高温热处理的时间为10～50h。