[发明专利]带有PD协议快充的台灯在审

专利信息
申请号: 202211297181.X 申请日: 2022-10-21
公开(公告)号: CN115514056A 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: 赖建岳;梁能 申请(专利权)人: 北京绿能芯创电子科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02J7/10;H02M3/335;H05B47/00
代理公司: 上海锻创知识产权代理有限公司 31448 代理人: 韩冰
地址: 102206 北京市顺*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 带有 pd 协议 台灯
【权利要求书】:

1.一种带有PD协议快充的台灯,其特征在于,包括:台灯本体,所述台灯本体内设置有供电电路和PD协议电路,所述供电电路与PD协议电路为分体设计并通过飞线连接,所述供电电路的输入端连接市电,供电电路的输出端与PD协议电路的输入端连接,所述PD协议电路上设置有PD输出接口。

2.根据权利要求1所述的带有PD协议快充的台灯,其特征在于:所述供电电路包括MK2687芯片、EMC滤波电路、高频变压器、MK91808芯片、整流桥BD1、极性电容C5、极性电容C6、极性电容C7、极性电容C8、电感L1、电阻R5、电容C4、电容C2、电阻R3、电阻R4、电阻R6、电阻R7、二极管D2、二极管D3、电阻R9、电容C10、电容C11、电阻R8、电阻R13、电阻R12、电阻R15、电阻R16、电阻R10、电阻R14、电容C14、光耦U15、电阻R25、电阻R20、电阻R24、电容C16、二极管D4、电阻R11、电阻R19、MOS管Q1、电容C12、电容C13、电阻R17、电阻R18、电阻R22、电阻R23、MOS管Q2、电容C1、电阻R1、电阻R2、电容C9、极性电容C3和电容C15。

所述EMC滤波电路的输入端与市电连接,输出端分别连接整流桥BD1的1号脚和3号脚,所述整流桥的2号脚分别连接极性电容C5的正极、极性电容C6的正极、电感L1的一端以及电阻R5的一端,电感L1的另一端分别连接电阻R5的另一端、极性电容C7的正极、极性电容C8的正极、电容C4的一端、电容C2的一端、电阻R3的一端、电阻R4的一端和高频变压器初级线圈的第一端口,所述整流桥的4号脚分别连接,极性电容C5的负极、极性电容C6的负极、极性电容C7的负极、极性电容C8的负极以及电容C4的另一端后接地;

电容C2的另一端分别连接电阻R3的另一端、电阻R4的另一端、电阻R6的一端和电阻R7的一端,所述电阻R6的另一端分别连接电阻R7的另一端和二极管D2的负极,所述二极管D2的正极分别连接高频变压器初级线圈的第二端口和MOS管Q1的漏极;MOS管Q1的漏极与源极之间串联有电容C12。

高频变压器初级线圈的第三端口连接二极管D3的正极,高频电压器初级线圈的第四端口接地;二极管D3的负极连接电阻R9的一端,电阻R9的另一端分别连接电容C10的一端、电阻R8的一端、电容C11的一端以及MK2687芯片的VDD端口,电容C10的另一端连接电容C11的另一端后接地;

电阻R8的另一端连接电阻R12的一端和电阻R13的一端,电阻R12的另一端和电阻R13的另一端与EMC滤波电路连接,电阻R13的另一端连接电阻R15的一端,电阻R15的另一端连接电阻R16的一端,电阻R16的另一端与EMC滤波电路连接;

MK2687芯片的FB端口分别连接电阻R10的一端和电阻R14的一端,电阻R10的另一端连接ATH,电阻R14的另一端分别连接电容C14的一端以及MK2687芯片的GND端后接地;MK2687芯片的COMP端连接光耦U15的光敏三极管的集电极,光耦U15的光敏三极管的发射极接地,光耦U15的发光二极管的正极分别连接电阻R20的一端、电阻R25的一端和电阻R24的一端,光耦的发光二极管的负极与电阻R25的另一端连接后构成OPTO端口,电阻R20的另一端连接电容C16的一端,电容C16的另一端连接电阻R24的另一端后构成AC_VO端口;

MK2687芯片的GATE端口连接电阻R11的一端,电阻R11的另一端连接电阻R19的一端,电故障R19的另一端连接二极管D4负极,二极管D4的正极分别连接电阻R18的一端和MOS管Q1的栅极;MK2687芯片的CS端口连接电容C13的一端和电阻R17的一端,电阻R17的另一端分别连接电阻R18的另一端、电阻R22的一端、电阻R23的一端以及MOS管Q1的源极,电阻R22的另一端与电阻R23的另一端连接后接地;

高频变压器的次级线圈的第二端口分别连接电容C1的一端、MOS管Q2的漏极以及MK91808芯片的VSEN端口,电容C1的另一端连接电阻R1的一端,电阻R1的另一端分别连接电阻R2的一端和电容C9的一端,电容C9的另一端连接MK91808芯片的VDD端口,MOS管Q2的栅极连接MK91808芯片的DRV端口,电阻R2的另一端连接MK91808芯片的RSET端口,MK91808芯片的HV端口分别连接高频变压器的次级线圈的第一端口和极性电容C3的正极,MK91808芯片的GND连接极性电容C3的负极、MOS管Q2的源极后连接电容C15的一端,电容C15的另一端接地,极性电容C3的正极为AC_VO端。

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