[发明专利]一种叠层钙钛矿太阳能电池制备方法

权利要求书

1.一种叠层钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一电池作为底电池；

在所述第一电池上形成第二电池；其中所述第二电池为钙钛矿太阳能电池，所述第二电池中包括远离所述第一电池的透明电极；

所述第二电池的透明电极通过多步磁控溅射步骤，分步将透明电极材料沉积形成；所述多步磁控溅射步骤中，每一步磁控溅射过程的溅射功率逐步提高，每一步磁控溅射步骤沉积的所述透明电极材料的沉积厚度逐渐增加。

2.根据权利要求1所述的叠层钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述多步磁控溅射步骤，包括2-10步磁控溅射过程；

所述多步磁控溅射步骤，沉积的所述透明电极材料的总沉积厚度为80nm-500nm。

3.根据权利要求2所述的叠层钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述多步磁控溅射步骤，包括4步磁控溅射过程；其中，

第1步磁控溅射过程，溅射功率为10w，沉积厚度为10nm；

第2步磁控溅射过程，溅射功率为50w，沉积厚度为30nm；

第3步磁控溅射过程，溅射功率为150w，沉积厚度为40nm；

第4步磁控溅射过程，溅射功率为300w，沉积厚度为100nm。

4.根据权利要求1所述的叠层钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，

单步所述磁控溅射过程中，溅射沉积的镀膜压力为0.1Pa-0.5Pa。

5.根据权利要求1所述的叠层钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，

单步所述磁控溅射过程中，溅射沉积的镀膜温度为25℃-200℃。

6.根据权利要求1所述的叠层钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，

单步所述磁控溅射过程中，溅射沉积的气氛条件中氩气：氧气为20:1-200:1。

7.根据权利要求1所述的叠层钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，

单步所述磁控溅射过程中，溅射沉积的靶基距为20mm-1000mm。

8.根据权利要求1所述的叠层钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述第一电池包括CIGS电池、HJT电池、Top-con电池、Perc电池或GaAs电池；

所述第二电池包括正式单节钙钛矿太阳能电池、反式单节钙钛矿太阳能电池、叠层钙钛矿太阳能电池。

9.根据权利要求1所述的叠层钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述第二电池的钙钛矿吸收层的带隙宽度为1.53eV-1.78eV。

10.根据权利要求1所述的叠层钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述第二电池的透明电极包括金属/氧化物/金属三明治电极或透明导电氧化物电极；

所述透明电极材料包括ITO、IZO、AZO或AGO等。

11.根据权利要求1-10任一项所述的叠层钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

清洗所述第一电池；

所述在所述第一电池上形成第二电池的步骤包括：

形成空穴传输层，在所述第一电池上形成所述第二电池的空穴传输层；

形成钙钛矿吸收层，在所述第二电池的空穴传输层远离所述第一电池一侧表面形成所述第二电池的钙钛矿吸收层；

形成电子传输层，在所述第二电池的钙钛矿吸收层远离所述第一电池一侧表面形成所述第二电池的电子传输层；

所述第二电池的透明电极通过所述多步磁控溅射步骤，在所述第二电池的电子传输层远离所述第一电池一侧表面形成。

12.根据权利要求11所述的叠层钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，

所述形成空穴传输层的步骤中，使用旋涂法或蒸镀法或涂布法形成所述第二电池的空穴传输层；

所述形成钙钛矿传输层的步骤中，使用旋涂法或蒸镀法或涂布法形成所述第二电池的钙钛矿吸收层；

所述形成电子传输层的步骤中，使用旋涂法或蒸镀法或涂布法形成所述第二电池的电子传输层。