[发明专利]一种巨介电、低损耗CCTO陶瓷的还原-再氧化制备方法

权利要求书

1.一种巨介电、低损耗CCTO陶瓷的还原-再氧化制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

S1、将CaCO₃、SrCO₃、CuO、TiO₂、NiO、MgO、ZrO₂、SnO₂以及GeO₂按化学式CaCu_3-xA_xTi_4-yB_yO₁₂称取，其中，A代表Sr、Mg、Ni中的一种，B代表Zr、Sn、Ge中的一种，0.00≤x≤0.30，0.05≤y≤0.20，加去离子水进行球磨，将所得浆料烘干、过筛得到粉体；

S2、将S1中获得的粉体在700℃-1000℃下空气气氛进行预烧，根据化学式CaCu_3-xA_xTi_4-yB_yO₁₂+zBN称取BN，其中0≤z≤0.1，再次加去离子水进行球磨，将所得浆料烘干、过筛得到第二粉体；

S3、向S2获得的第二粉体中加入适量分散剂、消泡剂、无水乙醇、甲苯以及粘合剂，球磨8-24h后，获得流延用浆料；

S4、将S3获得的浆料经流延成厚度为50-200μm后的生坯片，将生坯片叠压至厚度约为1mm的生坯，经等静压处理后，切片，切片后生坯在250℃以上温度进行排胶；

S5、将S4获得的生坯在氮气气氛或氮气与氢气的混合气氛中烧结，烧结温度在950℃-1050℃，获得还原的CCTO陶瓷；

S6、将S5获得的还原的CCTO陶瓷，在空气气氛中500℃-800℃下进行再氧化处理，获得巨介电、低损耗的CCTO陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种巨介电、低损耗CCTO陶瓷的还原-再氧化制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述分散剂取自丙三醇、丙烯酸、硬脂酸以及二甲基硅油中的任意一种或者多种的混合物，且加入的质量为第二粉体质量的0-5‰；所述消泡剂取自丙三醇、丙烯酸、硬脂酸以及二甲基硅油中的任意一种或者多种的混合物，且加入的质量为第二粉体质量的0-5‰；加入的无水乙醇质量为第二粉体质量的10-20％；加入的甲苯质量为第二粉体质量的20-40％。

3.根据权利要求1所述的一种巨介电、低损耗CCTO陶瓷的还原-再氧化制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述粘合剂取自PVA、PVB溶液中的任意一种或者两种溶液的混合溶液，且加入的质量为第二粉体质量的20-40％。

4.根据权利要求1所述的一种巨介电、低损耗CCTO陶瓷的还原-再氧化制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，生坯须掩埋于相同组份的粉体中，同时，用刚玉坩埚倒扣在样品上，形成一个密闭烧结空间，进行烧结。