[发明专利]一种光模块的激光器共晶方法在审
申请号: | 202211300569.0 | 申请日: | 2022-10-24 |
公开(公告)号: | CN115889914A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 唐永正;朱德锋;李波;谢顶波 | 申请(专利权)人: | 武汉英飞光创科技有限公司 |
主分类号: | B23K1/00 | 分类号: | B23K1/00;B23K3/04;B23K3/08 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 吴慧珺 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳大道52号凤凰产业园(武汉.中国光谷文化创意*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模块 激光器 方法 | ||
1.一种光模块的激光器共晶方法,其特征在于,包括如下过程:
吸嘴抓取激光器芯片至预置有共晶焊料的基板上,吸嘴维持接触激光器芯片至共晶焊料升温达到温度T后1~2秒,其中T不小于共晶焊料熔点温度;
关闭吸嘴的真空并撤销吸嘴对激光器芯片的压力,并持续在温度T下加热共晶焊料直至共晶焊料完全熔化成液态并维持2~10秒。
2.如权利要求1所述的光模块的激光器共晶方法,其特征在于,具体包括如下步骤:
预热加热台;
2)采用自动贴片共晶机的吸嘴抓取预置了共晶焊料的基板到预热的加热台上;
3)采用自动贴片共晶机的吸嘴抓取激光器芯片至基板上相应位置,并保持吸嘴接触激光器芯片上表面固定激光器芯片的位置不动;
4)将加热台加热至温度T并维持1~2秒,此时保持吸嘴与激光器芯片接触;
5)加热台继续维持温度T,关闭吸嘴真空,同时使吸嘴离开激光器芯片上表面,直至共晶焊料完全熔化成液态并维持2~10秒;
6)将加热台降温,固定激光器芯片。
3.如权利要求2所述的光模块的激光器共晶方法,其特征在于:所述共晶焊料采用金锡焊料。
4.如权利要求3所述的光模块的激光器共晶方法,其特征在于:所述加热台的预热温度为常温至260℃。
5.如权利要求4所述的光模块的激光器共晶方法,其特征在于:所述加热台的预热温度为240℃。
6.如权利要求2所述的光模块的激光器共晶方法,其特征在于:所述步骤3)中吸嘴与激光器芯片接触压力为10g。
7.如权利要求3所述的光模块的激光器共晶方法,其特征在于:所述步骤4) 和步骤5)中加热台加热温度T为320℃。
8.如权利要求3所述的光模块的激光器共晶方法,其特征在于:所述步骤6)中加热台温度降温至240℃。
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