[发明专利]一种在高镍三元正极材料表面构筑导电聚合物CEI膜的方法

权利要求书

1.一种在高镍三元正极材料表面构筑导电聚合物CEI膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)将聚苯胺加入含质子酸的溶液中进行处理得质子酸掺杂PANI；

(b)将所述质子酸掺杂PANI、PEG分别加入有机溶剂中使其溶解得第一混合物；

(c)将无机功能材料和高镍三元正极材料分别加入所述第一混合物中，进行搅拌、超声；待反应结束后，进行减压蒸馏、收集得到黑色物质，烘干即可。

2.根据权利要求1所述在高镍三元正极材料表面构筑导电聚合物CEI膜的方法，其特征在于：步骤(a)中，所述质子酸为磷酸和盐酸组成的混合酸，所述聚苯胺与所述混合酸的质量比为1：10～15。

3.根据权利要求2所述在高镍三元正极材料表面构筑导电聚合物CEI膜的方法，其特征在于：所述混合酸中盐酸和磷酸的体积比为1：1～3；

优选地，磷酸的浓度为85％，盐酸的浓度为36～38％。

4.根据权利要求1所述在高镍三元正极材料表面构筑导电聚合物CEI膜的方法，其特征在于：步骤(a)中，将所述聚苯胺加入所述含质子酸的溶液中后，移入烧瓶中加热到40～80℃搅拌0.5～2h，随后超声；用孔径≤0.45μm的滤膜进行抽滤，去离子水洗涤至中性，干燥得质子酸掺杂PANI。

5.根据权利要求1所述在高镍三元正极材料表面构筑导电聚合物CEI膜的方法，其特征在于：步骤(b)中，所述PEG为PEG1500/或PEG2000中的一种。

6.根据权利要求1所述在高镍三元正极材料表面构筑导电聚合物CEI膜的方法，其特征在于：所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮或/和N,N-二甲基甲酰胺。

7.根据权利要求1所述在高镍三元正极材料表面构筑导电聚合物CEI膜的方法，其特征在于：所述质子酸掺杂PANI和所述PEG的质量比为1：1，所述PEG和所述有机溶剂的比例为0.15～0.6g：20ml。

8.根据权利要求1所述在高镍三元正极材料表面构筑导电聚合物CEI膜的方法，其特征在于：步骤(c)中，所述无机功能材料为选自多壁碳纳米管和双三氟甲磺酰亚胺锂(LiTFSI)中的一种；

优选地，所述高镍三元正极材料为NCM811。

9.根据权利要求8所述在高镍三元正极材料表面构筑导电聚合物CEI膜的方法，其特征在于：步骤(c)中，所述无机功能材料、高镍三元正极材料与PEG的质量比为4～5：150～250：3。

10.根据权利要求8所述在高镍三元正极材料表面构筑导电聚合物CEI膜的方法，其特征在于：步骤(c)中，于50～70℃搅拌0.5～2h，超声5～20min。